[发明专利]多晶硅还原炉控制方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，包括：

基于已启动的还原炉确定曲线集合，所述曲线集合包括：目标多晶硅沉积曲线、物料曲线和电流曲线；其中，所述目标多晶硅沉积曲线用于表示随时间变化生成多晶硅的目标值，所述物料曲线用于表示输入所述还原炉的物料随时间变化的值，所述电流曲线用于为所述多晶硅的生成反应供电；

所述物料曲线包括：氢气曲线和三氯氢硅曲线；所述氢气曲线用于表示输入所述还原炉的氢气的量随时间变化的值；所述三氯氢硅曲线用于表示输入所述还原炉的三氯氢硅的量随时间变化的值；

确定随时间变化的实际多晶硅沉积曲线，所述实际多晶硅沉积曲线包括多晶硅沉积的实际值；

确定所述实际多晶硅沉积曲线与所述目标多晶硅沉积曲线的第一偏差；

当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；

当所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，调节输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值；其中，所述第二阈值小于所述第一阈值；

当所述第一偏差为负值，且所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，增加输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值；当所述第一偏差为正值，且所述第一偏差的绝对值大于第二阈值且小于第一阈值时，减少输入所述还原炉的电流值，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第二阈值。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，在基于已启动的还原炉确定曲线集合的步骤之前，还包括：获取还原炉的阀门参数和运行参数，基于所述阀门参数和所述运行参数的结果判断是否能启动还原炉。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值的步骤，包括：

当所述第一偏差为负值，且所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，增加输入所述还原炉的电流值和所述氢气的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；

或者，增加输入所述还原炉的电流值和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；

或者，增加输入所述还原炉的电流值、所述氢气的量和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。

4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉控制方法，其特征在于，当所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，调节输入所述还原炉的所述物料的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值的步骤，还包括：

当所述第一偏差为正值，且所述第一偏差的绝对值大于第一阈值时，减少输入所述还原炉的电流值和所述氢气的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；

或者，减少输入所述还原炉的电流值和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值；

或者，减少输入所述还原炉的电流值、所述氢气的量和所述三氯氢硅的量，直至所述第一偏差的绝对值小于所述第一阈值。