[发明专利]负温度系数的稳压源电路

权利要求书

1.一种负温度系数的稳压源电路，其特征在于，包括：

第一线性电流源单元，所述第一线性电流源单元包括第一误差放大器、第一NMOS晶体管及第一电阻，所述第一误差放大器的正电源端输入供电电压，所述第一误差放大器的负电源端接地，所述第一误差放大器的同向输入端输入基准电压，所述第一误差放大器的输出端连接至所述第一NMOS晶体管的栅极，所述第一NMOS晶体管的源极连接至所述第一电阻的一端以及所述第一误差放大器的反向输入端，所述第一电阻的另一端接地，所述第一线性电流源单元用于将所述基准电压转换为第一直流电流；

第二线性电流源单元，所述第二线性电流源单元包括第二误差放大器、第二NMOS晶体管、第二电阻及第一PNP三极管，所述第二误差放大器的正电源端输入供电电压，所述第二误差放大器的负电源端接地，所述第二误差放大器的输出端连接至所述第二NMOS晶体管的栅极，所述第二误差放大器的同向输入端连接至所述第一PNP三极管的发射极，所述第一PNP三极管的基极和集电极接地，所述第二NMOS晶体管的源极连接至所述第二电阻的一端以及所述第二误差放大器的反向输入端，所述第二电阻的另一端接地，所述第二线性电流源单元用于将所述第一PNP三极管产生的具有负温度系数的基极-射极电压转换为具有负温度系数的第二直流电流；

第一镜像单元，与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，用于对所述第一线性电流源单元输出的第一直流电流作镜像，得到第一镜像电流；

第二镜像单元，与所述第二NMOS晶体管的漏极连接，用于对所述第二线性电流源单元输出的第二直流电流作镜像，得到第二镜像电流；

第三电阻，所述第三电阻的一端同时与所述第一镜像单元的输出端和所述第二镜像单元的输出端连接，流过所述第一镜像电流和所述第二镜像电流的叠加电流，以形成具有负温度系统的输出电压，将所述第三电阻的这一端作为输出电压端；

第二PNP三极管，所述第二PNP三极管的发射极连接至所述第三电阻的另一端，所述第二PNP三极管的基极和集电极接地。

2.根据权利要求1所述的负温度系数的稳压源电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻及所述第三电阻为同类型电阻，且构成比例电阻。

3.根据权利要求1所述的负温度系数的稳压源电路，其特征在于，所述第一镜像单元包括第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极分别输入供电电压，所述第一PMOS晶体管的漏极连接至所述第一PMOS晶体管的栅极以及所述第二PMOS晶体管的栅极，所述第一PMOS晶体管的漏极还连接至所述第一NMOS晶体管的漏极；

所述第二镜像单元包括第三PMOS晶体管及第四PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管的源极和所述第四PMOS晶体管的源极分别输入供电电压，所述第三PMOS晶体管的漏极连接至所述第三PMOS晶体管的栅极以及所述第四PMOS晶体管的栅极，所述第三PMOS晶体管的漏极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极。

4.根据权利要求3所述的负温度系数的稳压源电路，其特征在于，所述第一镜像单元的电流比为1：n1。

5.根据权利要求3所述的负温度系数的稳压源电路，其特征在于，所述第二镜像单元的电流比为1：n2。