[发明专利]一种厚膜电阻浆料

说明书

本发明公开了一种厚膜电阻浆料，包含Ag粉末、Pt粉末和Ag‑Pt合金粉末中的至少两种；所述Pt粉末或Ag‑Pt合金粉末为蜂窝球状、絮状、球状和类球形中的至少一种；所述Pt粉末或Ag‑Pt合金粉末中，至少有90wt％的Pt粉末或Ag‑Pt合金粉末的长轴和短轴的长度之比为：长轴：短轴＝1～3。本发明所述厚膜电阻浆料中的导电相成分采用Pt替换Pd，将Pt粉替换Pd粉后，100Ω/□以下方阻电阻器的TCR降低，可以达到降低成本且提高TCR性能的目的，并且将Pt替换Pd粉后，保证厚膜电阻的短时过载性能保持不变或者更优异。

技术领域

本发明涉及一种导电浆料，具体涉及一种厚膜电阻浆料。

背景技术

厚膜片式电阻广泛用于厚膜电阻器电子部件、厚膜混合式电路等，片式厚膜电阻主要是用过将组合物印刷到在绝缘基板的表面上形成的导线分布图或电极上，随后在850℃±20℃的温度下对印刷物进行煅烧，得到厚膜电阻。

厚膜电阻浆料通过将导电组分和无机粘合剂分散在有机介质(载体)中来制备厚膜电阻浆料。并通过丝网印刷的方法将厚膜电阻浆料沉积在绝缘的基板上。厚膜电阻的电性能主要由沉积层中的无机粘结剂和导电组分性质确定。无机粘合剂主要成分是玻璃，作用主要是将导电组分粘结在一起形成导电通路，并保持厚膜电阻的完整性，且与基板粘合方面起着重要作用。有机介质为分散介质，主要影响浆料的应用特性，尤其是流变学特性。

传统的厚膜电阻在方阻小于100Ω/□的低阻段中(例如，10Ω/□、1Ω/□、0.1Ω/□阻段，或者更低阻段0.01Ω/□)，采用的导电相为Ag、Pd、RuO₂，其问题在于提高电阻温度系数(temperature coefficient of resistance，简称TCR)性能，需要增加贵金属的Pd的含量，这样大大提高了成本。

传统低阻段配方大多数采用的无机粘结剂主要是含铅的铅硅酸盐玻璃，导电组分为Ag、Pd、RuO₂三种导电相，常用Ag、Pd来控制阻值和TCR，Pd含量越高可以得到更低的TCR，但阻值较难降低；由于近年来对低阻段厚膜电阻器的要求越来越高，需要低成本高性能的电阻浆料。

现有的低阻段厚膜电阻采用提高贵金属Pd粉的含量来降低TCR，提高Pd粉的含量，一般阻值就会增大，就需要增大Ag的含量，但是TCR就会升高，因此再提高Pd粉的含量，以此类推，达到所需要的阻值及TCR性能即可，但是，这种方法存在较大的问题就是很难通过这种繁琐的方法达到所满足的阻值和TCR性能。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种阻值较低，TCR性能更加优异的厚膜电阻浆料。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种厚膜电阻浆料，包含Ag粉末、Pt粉末和Ag-Pt合金粉末中的至少两种；所述Pt粉末或Ag-Pt合金粉末为蜂窝球状、絮状、球状和类球形中的至少一种；所述Pt粉末或Ag-Pt合金粉末中，至少有90wt％的Pt粉末或Ag-Pt合金粉末的长轴和短轴的长度之比为：长轴：短轴＝1～3。