[发明专利]一种开关的快速充放电电路

权利要求书

1.一种开关的快速充放电电路，其特征在于：包括快速充放电模块、接收端开关和发射端开关，发射端开关连接发射端，接收端开关连接接收端，发射端开关和接收端开关共同输出至天线端，发射端开关的控制信号包括互为反向的信号cr_p与信号cr_n，接收端开关的控制信号包括信号cr_n和vg1，信号vg1与快速充放电模块相连；快速充放电模块包括快速充电控制模块、第一堆叠MOS管和并联电阻；

第一堆叠MOS管包括若干个串联的MOS管，接收端开关的控制信号vg1分别进入第一堆叠MOS管的源端和快速充电控制模块，第一堆叠MOS管的漏端和源端之间设有并联电阻，快速充电控制模块的输出电压信号ctr进入第一堆叠MOS管的栅极，cr_p信号还输入到第一堆叠MOS管的漏端。

2.根据权利要求1所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：所述接收端开关包括第二堆叠MOS管和第三堆叠MOS管，

第二堆叠MOS管包括若干个串联的MOS管，第二堆叠MOS管的漏极与发射端开关相连，第三堆叠MOS管的漏极连接到第二堆叠MOS管的源极，第二堆叠MOS管中MOS管的栅极由电阻串联至信号vg1；

第三堆叠MOS管包括若干组互相并联的MOS管组，每组MOS管组中均包括两个串联的MOS管，每组MOS管组的漏极连接第二堆叠MOS管，源极接地，第三堆叠MOS管的栅极通过电阻串联至控制信号cr_n。

3.根据权利要求1所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：所述发射端开关包括第四堆叠MOS管和第五堆叠MOS管；

第四堆叠MOS管包括若干个互相串联的MOS管，第五堆叠MOS管的漏端连接到第四堆叠MOS管的源端，第四堆叠MOS管中的MOS管的栅极由电阻串联至控制信号cr_n；

第五堆叠MOS管包括若干组互相并联的MOS管组，每组MOS管组包括若干个串联的MOS管，第五堆叠MOS管中MOS管的栅极通过电阻串联至控制信号cr_p。

4.根据权利要求1所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：控制信号cr_p通过延时链路产生延时控制信号cr_d_p以及延时反向控制信号cr_d_n，信号cr_d_p和信号cr_d_n均与第五堆叠MOS管相连。

5.根据权利要求4所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：延时链路包括若干个级联的反相器，控制信号cr_p经过偶数个反相器之后得到延时控制信号cr_d_p，再经过奇数个反相器之后得到延时反向控制信号cr_d_n。

6.根据权利要求4所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：所述快速充电控制模块包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、反相器I1和电容C，

快速充电控制模块的电源电压VCC依次连接电阻R1、电阻R2、电阻R3之后接地，电阻R1和电阻R2之间输出电压信号ctr，电压信号ctr连接到第一堆叠MOS管，MOS管M1漏端接电压信号ctr，源端接控制信号cr_p，栅极接信号cr_d_n；

信号vg1通过电阻R4以及反相器I1连接至MOS管M3的栅极；

MOS管M2和MOS管M3分别与电阻R3并联；

MOS管M2的栅极接信号cr_d_p。

7.根据权利要求4所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：电阻R1、电阻R2、电阻R3满足VCC*R2/(R1+R2)与MOS管的导通高电平电压相同，VCC*(R2+R3)/(R1+R2+R3)与MOS管的导通高电压电平和阈值电压之和相同。

8.根据权利要求5所述的开关的快速充放电电路，其特征在于：延时链路包括若干个电容电阻RC延迟电路，电容电阻RC延迟电路设置在反相器之间。