[发明专利]双色宽谱段探测器、双色宽谱段探测器阵列及制作方法

权利要求书

1.一种双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，包括：

P型掺杂的lnP衬底；

位于所述衬底第一侧表面的P型掺杂的lnP下接触层；

位于所述下接触层背离所述衬底一侧的第一吸收层，所述第一吸收层裸露所述下接触层部分区域，为本征ln_0.53Ga_0.47As层；

位于所述第一吸收层背离所述下接触层一侧表面的第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括：层叠的公共接触层和第二堆叠结构，所述第二堆叠结构裸露所述公共接触层部分区域，包括：层叠的缓冲层、第二吸收层、扩散控制层和顶层以及沿所述第一方向贯穿所述顶层，延伸至所述扩展控制层内的P型掺杂区；

位于所述下接触层裸露区域，与所述下接触层电连接的第一P电极；

位于所述公共接触层裸露区域，与所述公共接触层电连接的N电极；

位于所述第二堆叠结构背离所述第一吸收层一侧，与所述P型掺杂区电连接的第二P电极；

其中，所述公共接触层包括N型掺杂的ln_xGa_1-xAs层，所述缓冲层为本征lnGaAs层，所述第二吸收层包括多量子阱结构，所述扩展控制层为本征lnGaAs层，所述顶层为N型掺杂的lnP层或lnAlAs层。

2.根据权利要求1所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，所述多量子阱结构包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层的数目比所述量子垒层的数目多1；

所述量子阱层为lnGaAs层，所述量子垒层为GaAsSb层。

3.根据权利要求1所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，还包括：

位于所述下接触层与所述第一吸收层之间的下限制层，所述下限制层裸露所述下接触层部分区域，所述第一吸收层位于所述下限制层背离所述下接触层一侧表面；

所述下限制层为P型掺杂的lnAlAs层。

4.根据权利要求3所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，所述下限制层厚度的取值范围为0.2μm～1.0μm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，所述第一堆叠结构还包括：

位于所述第一吸收层与所述公共接触层之间的第一限制层；

位于所述公共接触层与所述缓冲层之间的第二限制层，所述第二限制层裸露所述公共接触层部分区域，所述缓冲层位于所述第二限制层背离所述公共接触层一侧表面；

其中，所述第一限制层和所述第二限制层为N型掺杂的lnP层或N型掺杂的lnAlAs层。

6.根据权利要求5所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，所述第一限制层和所述第二限制层厚度的取值范围为0.2μm～1.5μm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，还包括：

覆盖所述第一堆叠结构以及所述下接触层部分区域的第一绝缘层，所述第一绝缘层具有第一通孔、第二通孔和第三通孔；

其中，所述第一通孔裸露所述下接触层部分区域，所述第一P电极位于所述第一通孔内，与所述下接触层电连接；所述第二通孔裸露所述P型掺杂区至少部分区域，所述第二P电极位于所述第二通孔内，与所述P型掺杂区域电连接；所述第三通孔裸露所述公共接触层部分区域，所述N电极位于所述第三通孔内，与所述公共接触层电连接。

8.根据权利要求7所述的双色宽谱段短波红外探测器，其特征在于，所述N电极还延伸至覆盖所述第二堆叠结构部分表面。