[发明专利]一种超双疏材料及其制备方法以及超双疏表面涂层的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010573563.5 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111908480A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 邓旭;王德辉 申请(专利权)人: 成都普界科技有限公司
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;C09D1/00
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李亚男
地址: 610041 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 超双疏 材料 及其 制备 方法 以及 表面 涂层
【权利要求书】:

1.一种超双疏材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将基底置于含碳源的火焰上灼烧,以在基底灼烧面聚集沉积一层碳纳米颗粒;

(2)在所述碳纳米颗粒表面化学沉积一层二氧化硅壳后,再将包裹在所述二氧化硅壳内的碳纳米颗粒去除,得到空心纳米二氧化硅聚集体,经低表面能处理后,得到超双疏材料。

2.根据权利要求1所述的超双疏材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述碳纳米颗粒聚集的涂层厚度为0.1um-20mm。

3.根据权利要求1所述的超双疏材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中的火焰来源于木材、液体石蜡、固体石蜡、燃油、液化气或天然气燃烧的火焰。

4.根据权利要求1-3任一项所述的超双疏材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中化学沉积的方法为气相沉积或溶液法的Stober反应。

5.根据权利要求4所述的超双疏材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中纳米二氧化硅空心球聚集体的厚度为5-100nm。

6.根据权利要求4所述的超双疏材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中去除碳纳米颗粒的具体过程为:将生长有二氧化硅壳的碳纳米颗粒在500-1200℃下煅烧1-10h;

或,用等离子体将生长有二氧化硅壳的碳纳米颗粒在10-1000w处理1-60min。

7.根据权利要求4所述的超双疏材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)还包括:在所述纳米二氧化硅空心球聚集体上通过化学气相沉积法接枝全氟硅烷。

8.权利要求1-7任一项所述的制备方法制得的超双疏材料。

9.一种超双疏表面涂层的制备方法,其特征在于,采用权利要求8所述的超双疏材料,包括以下步骤:

直接将沉积有碳纳米颗粒的的基底通过溶液法或气相沉积法生长二氧化硅后,再进行氟化处理,直接在基底表面制得超双疏涂层;

或,将已碳纳米颗粒为模版的空心纳米二氧化硅超双疏材料配置成悬浮液,喷涂到任意基材表面后,在基材表面制得超双疏表面涂层。

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