[发明专利]一种基于CuAlO2

权利要求书

1.一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管，其特征在于，包括顶电极(1)和底电极(5)，两电极之间由顶电极(1)向底电极(5)方向依次设置有P型晶体CuAlO₂薄膜(2)、I型SiC薄膜(3)和N型SiC衬底(4)。

2.根据权利要求1所述的一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管，其特征在于，所述顶电极(1)和底电极(5)材料为Au、Al、Ni、Cu、Pb金属材料中的一种或任意几种的混合物，或者为包含上述任意几种混合金属材料的合金，或者ITO导电性化合物。

3.根据权利要求1所述的一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管，其特征在于，所述N型SiC衬底(4)为掺氮的SiC材料；I型SiC薄膜为非故意掺杂的SiC层，掺杂浓度为10¹⁵cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管，其特征在于，所述P型晶体CuAlO₂薄膜(2)掺杂浓度为10¹⁷～10¹⁸cm^-3。

5.一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1、对N型SiC衬底(4)进行清洗，清洗后吹干待用；

步骤2、在所述步骤1清洗后的N型SiC衬底(4)上进行本征SiC同质外延层生长；

步骤3、在所述步骤2得到的本征SiC同质外延层上进行P型晶体CuAlO₂异质外延层生长；

步骤4、在所述步骤3得到的P型晶体CuAlO₂异质外延层上制作顶电极；

步骤5、对所述N型SiC衬底(4)下表面制作底电极(5)，最终形成CuAlO₂/SiC紫外光电二极管。

6.根据权利要求5所述的一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中清洗流程为：依次使用清洗液、氢氟酸、酒精、去离子水逐步对样品进行清洗。

7.根据权利要求5所述的一种CuAlO₂/SiC紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤2中N型SiC衬底(4)上进行本征SiC同质外延层生长时，利用化学气相沉积设备，以硅烷作为Si源气体，丙烷作为C源气体，用氢气作为载气，其中，氢气流量为40-60slm，C/Si比为1.0-1.5，生长温度为1520℃～1600℃，生长时间为2-5min。