[发明专利]一种显示面板有效
申请号: | 202010574123.1 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN111755490B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 陈泽升;赵勇;鲜于文旭 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管阵列层,位于所述衬底基板上;
发光器件层,位于所述薄膜晶体管阵列层上,所述发光器件层包括间隔分布的发光器件,所述发光器件包括层叠设置的阳极、发光层、阴极;
遮光层,位于所述发光器件层上,所述遮光层对应所述发光器件层的发光区域的位置设置有开口;
有机保护层,位于所述遮光层上;
其中,所述遮光层的开口处填充有所述有机保护层,所述有机保护层为透明材质;
所述阴极靠近所述发光层的一侧和/或所述阴极远离所述发光层的一侧设置有光吸收介质层,所述光吸收介质层包括层叠设置的第一子层、第二子层、第三子层以及第四子层,所述第一子层用于吸收波长范围介于300nm至蓝光之间的杂光,所述第二子层用于吸收波长范围介于绿光和蓝光之间的杂光,所述第三子层用于吸收波长范围介于红光和绿光之间的杂光,所述第四子层用于吸收波长范围介于800nm至红光之间的杂光。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件层与所述遮光层之间还设置有薄膜封装层,所述薄膜封装层包括层叠设置的无机层与有机层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述光吸收介质层位于所述薄膜封装层上,并且对应所述遮光层的开口处设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光吸收介质层包括碳六十、氯化亚酞菁硼、酞菁铅中的至少一种材料形成的单层或多层。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极至少一部分为氧化物材料。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极的表面均匀的分布有漫反射结构。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层对应所述遮光层的开口处设置有均匀分布的漫反射结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的