[发明专利]限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010574282.1 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111682403B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 程洋;王俊;谭少阳;廖新胜;潘华东;李泉灵 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张乐乐 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 限制 结构 及其 制作方法 半导体激光器 | ||
1.一种用于半导体激光器的限制层结构，其特征在于，包括：
间隔分布的若干介质掩膜块；以及
在所述若干介质掩膜块之间间隙生成的限制层，所述限制层采用砷化镓层。
2.根据权利要求1所述用于半导体激光器的限制层结构，其特征在于，所述介质掩膜块的上表面的总面积和所述砷化镓层的上表面的总面积之比为0.2-1.5。
3.根据权利要求1所述的用于半导体激光器的限制层结构，其特征在于，每个所述介质掩膜块大小相同，并且均匀交错排布。
4.根据权利要求1所述的用于半导体激光器的限制层结构，其特征在于，所述介质掩膜块的厚度与所述砷化镓层的厚度一致。
5.根据权利要求1-4任一项所述的用于半导体激光器的限制层结构，其特征在于，所述砷化镓层替换为砷磷化铝镓铟层，所述砷磷化铝镓铟层中铟组分小于等于5％，铝组分小于等于5％，磷组分小于等于5％。
6.一种权利要求1-5任一项所述的用于半导体激光器的限制层结构的制作方法，其特征在于，包括：
沉积介质层，并对所述介质层进行刻蚀处理，得到间隔分布的若干介质掩膜块；
在所述间隔分布的若干介质掩膜块之间的间隙生长限制层，得到所述限制层结构。
7.一种半导体激光器，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的用于半导体激光器的限制层结构。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其特征在于，还包括：位于所述限制层结构下方的砷化镓盖层，用于保护位于所述砷化镓盖层下方的功能层。
9.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：
采用权利要求6-8中任一项所述的用于半导体激光器的限制层结构的制作方法生成所述半导体激光器的限制层结构。
10.根据权利要求9所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，在制备所述限制层结构之前包括：
在半导体激光器结构上生长盖层。
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