[发明专利]存储装置和存储系统的操作方法

说明书

提供一种存储装置和存储系统的操作方法。一种存储装置包括：非易失性存储器装置，包括第一区域、第二区域和第三区域；和控制器，从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令，响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据，并将第一数据存储在非易失性存储器装置中，当第一写入命令包括区域信息时，控制器基于区域信息将第一数据存储在第一区域或第二区域中，当第一写入命令不包括区域信息时，控制器将第一数据存储在第三区域中，第一区域和第二区域中的每个包括均存储“n”个比特的存储器单元(n为正整数)，并且第三区域包括均存储“m”个比特的存储器单元(m为大于n的正整数)。

本申请要求于2019年8月2日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0094253号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用整体包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储装置、包括该存储装置的存储系统的操作方法和控制该存储装置的主机装置。

背景技术

半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在装置被供电时保持其数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。非易失性存储器装置在失去电力时不丢失数据。非易失性存储器装置的示例包括闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。

闪存装置越来越多地被用作计算装置中的大容量存储介质。正在开发用于支持闪存装置的高速操作的各种技术。例如，由JEDEC标准定义的通用闪存(UFS)接口可比基于常规闪存的存储装置支持更高的操作速度。

发明内容

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括第一区域、第二区域和第三区域；和控制器，被配置为：从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令，响应于第一写入命令而接收与第一逻辑块地址对应的第一数据，并将第一数据存储在非易失性存储器装置中，其中，当第一写入命令包括区域信息时，控制器基于区域信息将第一数据存储在第一区域和第二区域中的一个中，其中，当第一写入命令不包括区域信息时，控制器将第一数据存储在第三区域中，其中，第一区域和第二区域中的每个包括均被配置为存储“n”个比特的存储器单元(n为正整数)，并且第三区域包括均被配置为存储“m”个比特的存储器单元(m为大于n的正整数)。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括第一区域、第二区域和第三区域；和控制器，被配置为：从主机装置接收包括第一逻辑块地址范围和第一范围区域信息的第一命令，并且响应第一命令，将第一区域、第二区域和第三区域之中的与第一范围区域信息对应的区域分配给第一逻辑块地址范围，其中，控制器还被配置为从主机装置接收包括第一逻辑块地址的第一写入命令，并且将与第一逻辑块地址对应的第一数据存储在分配的区域中，以及其中，第一逻辑块地址包括在第一逻辑块地址范围中。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种存储系统的操作方法，所述存储系统包括包含第一区域、第二区域和第三区域的存储装置、以及被配置为与存储装置通信的主机装置，所述方法包括：通过主机装置，将包括第一逻辑块地址和第一区域信息的第一写入命令传送到存储装置；通过存储装置，接收第一写入命令，并从第一区域、第二区域和第三区域之中选择与第一区域信息对应的区域；通过存储装置，将准备传送通用闪存协议信息单元(UPIU)传送到主机装置；通过主机装置，将包括与第一逻辑块地址对应的第一数据的DATA OUT UPIU传送到存储装置；响应于准备传送UPIU，通过存储装置接收DATA OUT UPIU并将第一数据存储在与第一区域信息对应的区域中；通过存储装置，将第一响应UPIU传送到主机装置；和通过存储装置，管理第一逻辑块地址与对应于第一区域信息的区域的物理地址之间的映射关系。