[发明专利]一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法

说明书

本发明公开了一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法，根据本发明的一个实施例，该蓝宝石衬底加工方法包括以下步骤，提供一蓝宝石晶体，并对所述蓝宝石晶体进行预处理，加工出所述蓝宝石晶体的A面和C面；根据蓝宝石晶体R面、C面以及A面的角度关系，标记R面，并对所述R面进行切割，获得包括有所述R面的晶块；沿所述R面的垂直面进行掏棒，获得以所述R面为柱面的晶棒。本发明所述蓝宝石衬底加工方法可以有效的改善芯片的透光效果，提高切割的良品率，且因为所得芯粒的斜裂角为90°±1，可以很容易的判断芯片封装的固晶胶量，提高固晶效率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种蓝宝石衬底、加工方法及发光二极管的制备方法。

背景技术

蓝宝石晶体具有各项异性的特点，在不同的方向上晶体的性质不同。蓝宝石晶体最常用的晶面主要有C、A、M和R面，其中A、M与C面垂直。

当切割蓝宝石衬底获得单体芯粒时，裂纹沿斜裂面裂开，裂开方向偏移切割位置，使得切割后的芯片的断裂面边缘会出现斜裂角，即，各芯粒之间实际上是沿斜裂面裂开。而切割后芯片的该斜裂角会影响其透光效果，降低切割的良品率，另外，芯粒背面的斜裂角容易造成芯片封装时，无法准确判断固晶胶量是否足够，即无法准确判断固晶是否达到封装要求，从而降低固晶效率，或者降低封装后的器件的良率。

发明内容

为了解决背景技术中至少一个技术问题，本发明提供一种蓝宝石衬底加工方法及其蓝宝石衬底，可以有效的提高由蓝宝石衬底获得的芯片在封装时的固晶效率，并改善由斜裂角造成的透光效果，提高切割的良品率。

本发明所采用的技术方案具体如下：

根据本发明的一个方面，提供一种蓝宝石衬底加工方法，包括以下步骤：

提供一蓝宝石晶体，对蓝宝石晶体进行预处理，加工出蓝宝石晶体的A面和C面；

根据蓝宝石晶体的R面、C面以及A面的角度关系，标记R面，并对R面进行切割，获得包括有R面的晶块；

沿R面的垂直面进行掏棒，获得以R面为柱面的晶棒。

可选地，提供一蓝宝石晶体，对蓝宝石晶体进行预处理，加工出蓝宝石晶体的A面和C 面，还包括以下步骤：

将蓝宝石晶体粗切出A面和C面；

采用X-RAY定向仪分别测量A面和C面的角度，细加工A面和C面，使得A面角度为18.92°±0.05°、C面角度为20.84°±0.05°。

可选地，在根据蓝宝石晶体R面、C面以及A面的角度关系，标记R面，并对R面进行切割，获得包括有R面的晶块之前，还包括：在C面内标记R向，根据标记的R向选择一定位面Ax。

可选地，根据蓝宝石晶体R面、C面以及A面的角度关系，标记R面，并对R面进行切割，获得包括有R面的晶块，还包括以下步骤：

在定位面A_X上标记r_X边，其中，r_X边与C面的夹角为57.6°；

根据r_X边标记与其相垂直的c_X边；

沿r_X边及c_X边进行切割，获得包括有定位面A_X、R_X面和C_X面的晶块。

可选地，在沿R面的垂直面进行掏棒，获得以R面为柱面的晶棒之前，还包括：

以C_X面为粘附面，将包括有定位面Ax、Cx面和R_X面的晶块粘结于平板冶具上，使得R_X面垂直于平板治具。