[发明专利]一种直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法及其应用

权利要求书

1.一种直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、水热法在导电基底表面生长磷化钴纳米线前驱体；

S2、S1得到的磷化钴纳米线前驱体经磷化反应得到磷化钴纳米线电催化剂；

其中，步骤S1水热法的原料为六水合硝酸钴，尿素和氟化铵，所述六水合硝酸钴，尿素和氟化铵的摩尔比为5：20：6。

2.根据权利要求1所述的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，所述导电基底为FTO和碳布。

3.根据权利要求2所述的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，所述导电基底在进行水热反应前进行预处理。

4.根据权利要求3所述的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，所述预处理包括清洗和烘干，所述清洗是将导电基底依次在丙酮、乙醇、去离子水中超声10～20min，超声功率为180W，频率为40KHz。

5.根据权利要求4所述的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，步骤S1操作为：将导电基底斜靠在反应釜内，将反应釜放入烘箱中进行水热反应，反应温度为110～150℃，反应时间为3～8h。

6.根据权利要求5所述的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，步骤S2的反应在管式炉中进行，磷化的原料为次磷酸钠，其摩尔数与六水合硝酸钴相同，磷化反应温度为300～350℃，保持120～180min，磷化结束后自然冷却到室温。

7.根据权利要求6所述的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法，其特征在于，磷化反应过程中，按照2～5℃/min将管式炉升温至300℃。

8.一种电催化电极，其特征在于，所述电极包括权利要求1至7任一项所述方法得到的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂。

9.权利要求1至7任一项所述方法得到的直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法得到的磷化钴纳米线电催化剂。

10.权利要求9所述的磷化钴纳米线电催化剂在电催化方面的应用。