[发明专利]一种氮化硅膜及其沉积方法、半导体器件在审
| 申请号： | 202010575071.X | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111900075A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;安重镒;金成基;项金娟;李亭亭;刘青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 及其 沉积 方法 半导体器件 | ||
1.一种氮化硅膜的沉积方法，其特征在于，包括：采用原子层沉积法，以氨气为反应气体，与气相硅源反应以在载体上沉积氮化硅膜；
其中，在每个沉积循环中，
在供应气相硅源之后和供应氨气之前进行以下工序：先进行1秒以上的吹扫，然后降低反应室内气压；并且所述沉积的反应温度为630℃以上。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积的反应温度为630～650℃。
3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述吹扫气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述降低反应室内气压为使反应室内气压为10-3Torr以下。
5.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，在每个沉积循环中，在所述供应氨气之后还包括：进行0.1秒以上的吹扫。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的沉积方法，其特征在于，所述硅源为硅烷和二氯硅烷中的至少一种。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积的手段为等离子体原子层沉积法或热处理原子层沉积法。
8.一种权利要求1-7任意一项所述沉积方法制备的氮化硅膜，其特征在于，所述氮化硅膜中的氢含量≤1％。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，
位于衬底上的数据线；
所述数据线上沉积有权利要求8所述的氮化硅膜。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求9所述的半导体结构。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为DRAM、2DNAND、3D NAND或LCD。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
