[发明专利]碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法

权利要求书

1.一种制备碳化硅籽晶组件的方法，其特征在于，包括：

在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层；

在所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面形成预制碳层，所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面；

使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层，得到碳化硅籽晶；

在碳化硅籽晶托的表面和所述碳化硅籽晶的表面中的至少之一上形成粘接层；

通过所述粘接层将所述碳化硅籽晶托和所述碳化硅籽晶粘接在一起，得到碳化硅籽晶组件，

所述预制碳层的厚度为5～10μm，

未与所述硅层反应的所述预制碳层构成所述碳层，所述碳层的厚度为2～7μm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅层满足以下条件的至少之一：

所述硅层为单晶硅层；

所述单晶硅层的厚度为0.05～0.1微米；

所述硅层是通过物理气相沉积方法形成的。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅层是通过磁控溅射方法形成的。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预制碳层是通过以下步骤形成的：

在所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面上形成有机胶层；

使所述有机胶层碳化，得到所述预制碳层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机胶层是通过旋涂方法形成的。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述旋涂方法的转速为500～5000rpm。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机胶包括光刻胶、环氧树脂、糠醛树脂和酚醛树脂中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有机胶层的厚度为10～20μm。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述碳化的升温速率为10～30℃/min，碳化温度为700～1200℃，保温时间为1～5h。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述预制碳层和所述硅层反应是通过以下步骤进行的：

将形成有所述预制碳层和所述硅层的碳化硅籽晶本体加热至1200～1600℃，并保温预定时间。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述加热的升温速率为50～100℃/min。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预定时间为2～5h。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳化硅过渡层满足以下条件的至少一种：

所述碳化硅过渡层的厚度为0.1～0.5μm；

在所述碳化硅过渡层朝向所述碳化硅籽晶本体的方向上，所述碳化硅过渡层中的碳原子和硅原子的原子个数比逐渐减小。

14.一种碳化硅籽晶组件，其特征在于，是通过权利要求1所述的方法制备得到的。

15.一种制备碳化硅晶体的方法，其特征在于，包括：

利用权利要求1所述的方法制备得到碳化硅籽晶组件；

通过物理气相传输法在碳化硅籽晶本体远离所述碳化硅籽晶托的表面上生长碳化硅晶体。