[发明专利]一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器

权利要求书

1.一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述吸收器包括依次设置的下基板和绝缘介质，下基板包括具有光波段吸收功能的MIM(金属-介质-金属)结构。

2.根据权利要求1所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述下基板中具有光波段超吸收功能的MIM结构，由底层金属/金属化合物，介质层，上层金属/金属化合物构成。

3.根据权利要求1或2所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述MIM结构下基板中，可选用的底层金属/金属化合物材料包括：铝(Al)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锗(Ge)中的一种或者几种；可选用的介质层材料包括：硅(Si)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氮氧化硅(SiON)、聚酰亚胺(Pl)、氧化铝(Al₂O₃)中的一种或者几种；可选用的上层金属/金属化合物包括：铝(Al)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮氧化钛(TiON)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锗(Ge)中的一种或者几种。

4.根据权利要求3所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，绝缘介质材料中，可选用的介质材料包括：硅(Si)、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氮氧化硅(SiON)中的一种或者几种。

5.根据权利要求4所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，MIM结构分布方式可采用周期或非周期的排列方式。

6.根据权利要求1或2所述的兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，其特征在于，所述MIM结构位于硅基液晶微显示芯片的顶层金属的下一层，吸收顶层金属间隙的漏光。