[发明专利]阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底层上表面上形成粘合层；

在所述粘合层上表面上形成底电极；

在所述底电极上表面上形成阻变介质层；

其中，所述阻变介质层材料为SiN_x。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底层上表面上形成粘合层之前，还包括：

在第一基底层上表面形成第二基底层，以构成所述衬底层；

其中，所述粘合层形成于所述第二基底层上表面上。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

所述第一基底层材料为Si或SiO₂，厚度大于等于1μm；

所述第二基底层材料为SiO₂，厚度大于等于200nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底层上表面上形成粘合层，包括：

在所述衬底层上表面上，利用溅射工艺，以溅射功率80W-120W、保护气体为Ar或He、腔体压强为3m Torr-5m Torr以及室温条件下溅射形成所述粘合层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

所述粘合层材料为Ti，厚度大于等于10nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述粘合层上表面上形成底电极，包括：

在所述粘合层上表面上，利用溅射工艺，以溅射功率80W-120W、保护气体为Ar或He、腔体压强为3m Torr-5m Torr以及室温条件下溅射形成所述底电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

其中，所述底电极材料为Pt、Au或Pd，厚度大于等于30nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述底电极上表面上形成阻变介质层，包括：

在所述底电极上表面上，基于等离子体增强化学气相沉积法的工艺，以特定比例的SiH₄和NH₃作为材料源，形成所述阻变介质层，所述阻变介质层厚度为20nm-30nm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积法的工艺条件为：沉积温度250℃-450℃、腔体压强为0.5T-0.7T、制备功率20W-25W、150sccm-250sccm的He或Ar作为保护气体、沉积时长为240s-480s。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述SiH₄和NH₃的特定比例满足：

所述SiH₄与NH₃的体积流量比为2∶1、1∶1或1∶7；

其中，所述特定比例决定所述阻变介质层的SiN_x中x的值。

11.根据所述权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述底电极上表面上形成阻变介质层之后，还包括：

在所述阻变介质层的上表面上形成多个凸电极；其中，包括：

在所述阻变介质层的上表面上形成顶电极层，以及

形成保护层覆盖所述顶电极层上表面，所述保护层用于保护所述顶电极层。

12.根据所述权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述阻变介质层的上表面上形成顶电极层，包括：

在所述阻变介质层的上表面上，形成具有多个孔洞的掩膜板；

利用溅射工艺，以溅射功率100W-200W、溅射气体为He或Ar、溅射腔体压强2mTorr-6mTorr以及室温条件下在所述掩膜板的孔洞中形成所述顶电极层。