[发明专利]一种多彩的BIPV薄膜太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种多彩的BIPV薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、取超白浮法玻璃作为玻璃基底，去除玻璃基底表面污物，并对玻璃基底表面进行活化；

S2、采掠射角磁控溅射工艺，在玻璃基底顶面沉积透明导电层，透明导电层作为

彩色功能层；彩色功能层由三层以上的薄膜构成复合膜层；

彩色功能层包含BZO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、IGZO薄膜、IZO薄膜的其中一种或两种以上；

或者彩色功能层包含CTO、ZTO、ITO薄膜的其中一种或两种以上；

彩色功能层中奇数膜层的折射率大于偶数膜层的折射率；

S3、采用磁控溅射工艺在彩色功能层顶面沉积缓冲层，缓冲层为CdS、ZnS或InS薄膜；

S4、采用磁控溅射工艺在缓冲层顶面沉积吸收层，吸收层为CdTe薄膜；

S5、采用磁控溅射工艺在吸收层顶面沉积背接触层，背接触层为Cu、Zn、Mo、Ti、Al、Ag或Au薄膜；

S6、采用磁控溅射工艺在背接触层顶面沉积保护层，保护层为Au、Zn、Pt、Zr或Ti薄膜；得到多彩的BIPV薄膜太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种多彩的BIPV薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1超白浮法玻璃的底面呈凹凸的绒面结构。

3.根据权利要求1或2所述的一种多彩的BIPV薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2当彩色功能层采用BZO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、IGZO薄膜、IZO薄膜时，彩色功能层的总厚度为800～1300nm；

当彩色功能层采用CTO、ZTO、ITO薄膜时，彩色功能层的总厚度为650～750nm。

4.根据权利要求3所述的一种多彩的BIPV薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2所述掠射角磁控溅射工艺采用入射粒子流倾斜角度10°～80°，制备出纳米柱倾斜角为5°～55°。

5.根据权利要求1所述的一种多彩的BIPV薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为20～130nm、吸收层的厚度为1300～2800nm、背接触层的厚度为3～40nm、保护层的厚度为5～50nm。