[发明专利]一种高纯镓粒生产工艺方法

权利要求书

1.一种高纯镓粒生产工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在去离子水交换水中加入浓盐酸得到冷却剂；将高纯镓原料熔化为液态，并装入滴料瓶；

S2、将滴料瓶的滴料口开口置于冷却剂内，冷却剂温度为5~15℃，开始滴料，滴料过程中以3~7cm/s速度水平移动滴料瓶，所述液态高纯镓原料滴入冷却剂后滴落到冷却剂底部的高度大于等于25cm，液态高纯镓原料滴入冷却剂后凝固为高纯镓粒；通过调整滴料瓶的滴料口开孔孔径大小，控制制备得到的高纯镓粒的粒径大小；

S3、收集高纯镓粒，用10~20℃去离子交换水冲洗高纯镓粒至中性；

S4、将冲洗后的高纯镓粒平铺在干燥箱内干燥，干燥温度13~23℃。

2.如权利要求1所述的一种高纯镓粒生产工艺方法，其特征在于，所述去离子水电阻率大于16兆欧。

3.如权利要求1所述的一种高纯镓粒生产工艺方法，其特征在于，S1中浓盐酸与去离子交换水的体积比为1:200。

4.如权利要求1所述的一种高纯镓粒生产工艺方法，其特征在于，S1中高纯镓原料熔化温度为45~55℃。

5.如权利要求1所述的一种高纯镓粒生产工艺方法，其特征在于，S4中干燥温度为15~21℃。

6.如权利要求1所述的一种高纯镓粒生产工艺方法，其特征在于，滴料瓶的滴料口开孔孔径为0.6~2.6mm，制备得到粒径大小为1mm~10mm的高纯镓粒。