[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板，包括：

多个第一连接垫；以及

多个第二连接垫，各自配置于所述多个第一连接垫；以及

多个柱状电容，各自配置于所述多个第二连接垫，

其中每个所述柱状电容的第一端连接所述多个第二连接垫的其中之一，每个所述柱状电容包括相对于所述第一端的第二端，且每个所述柱状电容的所述第一端和所述第二端之间的距离落在1微米至1.8微米的范围。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述第一连接垫的形状为矩形，且每个所述第二连接垫的形状为圆形。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述柱状电容与所述多个第二连接垫的其中之一对齐。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述柱状电容与电性连接的所述第一连接垫错位。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板包括连接表面，且所述多个第二连接垫位于所述连接表面，且所述多个第二连接垫以六方最密堆积晶格方式排列。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述第一连接垫的形状为矩形，且每个所述第一连接垫的边长的长度落在30纳米至50纳米的范围。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述第二连接垫的形状为圆形，且每个所述第二连接垫的直径的长度落在20纳米至25纳米的范围。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板包括多个垂直晶体管，所述多个垂直晶体管各自与所述多个第一连接垫连接。

9.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，包括：

提供半导体基板，所述半导体基板包括多个第一连接垫以及多个各自配置于所述多个第一连接垫的第二连接垫；

在所述半导体基板的所述多个第二连接垫形成多个绝缘层；

蚀刻所述多个绝缘层并形成多个垂直孔，所述多个垂直孔各自对应至所述多个第二连接垫，其中所述蚀刻的功率落在900瓦至1100瓦的范围；以及

各自在所述多个垂直孔形成柱状电容。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，蚀刻所述多个绝缘层的步骤包括：

在蚀刻所述多个绝缘层时通过的气流为每分钟1至3标准立方厘米。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述多个绝缘层的步骤包括：

配置第一氮化物层；

配置第一绝缘填充层；

配置第二氮化物层；

配置第二绝缘填充物层；以及

配置第三氮化物层。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一氮化物层具有第一厚度，所述第二氮化物层具有第二厚度，所述第三氮化物层具有第三厚度，且所述第三厚度大于所述第一厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，每个所述第一连接垫的形状为矩形，且每个所述第二连接垫的形状为圆形。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，每个所述柱状电容与所述多个第二连接垫的其中之一对齐。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，每个所述柱状电容与电性连接的所述第一连接垫错位。