[发明专利]去耦合电容器封装结构与其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包含：

沉积一聚合物层于一载体基板上；

形成一第一电容器结构和一第二电容器结构于该聚合物层上，其中形成该第一电容器结构和该第二电容器结构包含：

形成一第一重分布层于该聚合物层的一部分上，该第一重分布层包含多个金属线；

沉积一光阻层于该第一重分布层上；

蚀刻该光阻层，以在该光阻层中形成间隔开的一第一中介层通孔开口和一第二中介层通孔开口，以暴露该重分配层的一金属线的各别的多个部分，其中该第一中介层通孔开口比该第二中介层通孔开口宽；

沉积一金属于该第一中介层通孔开口和该第二中介层通孔开口中，以分别形成与该金属线接触的一第一中介层通孔结构和一第二中介层通孔结构；

去除该光阻层；

形成一高介电常数介电质于该第一中介层通孔结构和该第二中介层通孔结构的一顶表面上；以及

沉积一金属层于该高介电常数介电层上以分别地形成一第一电容器和一第二电容器；以及

形成一第二重分布层于该第一电容器和该第二电容器上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成该第二重分布层之前，附着一个或多个晶片于与该第一中介层通孔结构和该第二中介层通孔结构相邻的该聚合物层上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

形成一第三重分布层于该第二重分布层上；

将多个焊锡凸块附接到该第三重分布层；

将一印刷电路板附接到该些焊锡凸块上；以及

去除该载体基板。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻该光阻层以形成间隔开的该第一中介层通孔开口和该第二中介层通孔开口包含形成具有实质上相等长度的该第一中介层通孔开口和该第二中介层通孔开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该高介电常数介电质包含形成具有一氧化锆(ZrO₂)的底层、一氧化铝(Al₂O₃)的中间层和一氧化锆(ZrO₂)的顶层的一堆叠。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该第一电容器结构和该第二电容器结构包含基于该第一中介层通孔结构和该第二中介层通孔结构的一长度和一宽度来形成具有比该第二电容器更大的一表面积的该第一电容器。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该高介电常数介电质包含：

将一基于环氧树脂的材料设置为围绕该第一中介层通孔结构和该第二中介层通孔结构的多个侧壁；

沉积一高介电常数介电材料于该基于环氧树酯的材料以及该第一中介层通孔结构和该第二中介层通孔结构上；以及

蚀刻该高介电常数介电材料于该基于环氧树脂的材料中。

8.一种中介层结构，其特征在于，包含：

一聚合物层；

一第一重分布层，位于该聚合物层上；

多个间隔开的电容器结构，在该第一重分布层上具有不同的表面积，其中每个该些间隔开的电容器结构包含：

一中介层通孔，与该第一重分布层接触，其中该电容器结构的一表面积系基于该中介层通孔的一长度和一宽度；

一介电材料，覆盖该中介层通孔的一顶表面，其中该介电材料与该中介层通孔和该第一重分布层的多个侧壁间隔开；以及

一顶部金属层，位于该介电材料上；

一晶片，附着在该聚合物层上并与该些间隔开的电容器结构相邻；

一模塑料，设置在该晶片和每个该些间隔的电容器结构之间；以及

一第二重分布层，设置在该晶片和该些间隔开的电容器结构上。

9.根据权利要求8所述的中介层结构，其特征在于，该些间隔开的电容器结构包含具有一第一中介层通孔的一第一电容器结构和具有一第二中介层通孔的一第二电容器结构，其中该第一中介层通孔具有与该第二中介层通孔不同的一宽度或一长度。

10.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一第一重分布层，包含多个焊锡凸块；

一中介层结构，用以电连接到该第一重分布层，并且包含：

多个电容器结构，其中每个该些电容器结构包含：

一中介层通孔，用以电耦合到该第一重分布层；

一高介电常数介电质，位于该中介层通孔上；

一金属层，位于该高介电常数介电质上；以及

一个或多个晶片；以及

一模塑料，围绕该或该些晶片和该些电容器结构。