[发明专利]一种TDICMOS探测器的非均匀校正方法有效
申请号: | 202010578155.9 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN111741243B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 余达;刘金国;周怀得;姜肖楠;杨亮;黄斌;李嘉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N17/00 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 朱红玲 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tdicmos 探测器 均匀 校正 方法 | ||
1.一种TDICMOS探测器的非均匀校正方法,包括对暗场下的成像参数测试和亮场下的成像参数测试,获得最终的校正系数;具体由以下步骤实现:
步骤一、进行暗场下的成像参数测试过程,具体为:
步骤一一、不开积分球,将TDICMOS探测器置于温度控制器内,调节温度控制器,将温度控制在预期的温度,将所述TDICMOS探测器的积分级数分别设置为最大积分级数kTDImax和最小积分级数kTDImin,TDICMOS探测器的单级积分时间按照预期行周期tint_normal设置固定不变,预期像素增益kpixel_normal和预期PGA增益kamp_norma保持不变,测量对应各像素的最大灰度值DNdarkimax和最小灰度值DNdarkimin;
步骤一二、计算在所述预期温度和预期行周期tint_normal下第i个像素的暗电流为:
式中,DNdarkimax_normal为在预期温度、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最大积分级数下的第i个像素暗场DN值;DNdarkimin_norma为在预期温度、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最小积分级数下的第i个像素暗场DN值;
进一步获得在预期温度和预期行周期下的平均暗电流为:
式中,DNdarkmax_ave_normal为在预期温度、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最大积分级数下的平均暗场DN值;DNdarkmin_ave_nor为在预期温度、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最小积分级数下的平均暗场DN值;
步骤一三、计算第i个像素的温度点tθ在预期行周期下的暗电流为:
式中,为在温度点tθ、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最大积分级数下的第i个像素暗场DN值;为在温度点tθ、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最小积分级数下的第i个像素暗场DN值;
则温度点tθ在预期行周期下的平均暗电流为:
式中,为在温度点tθ、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最大积分级数下的平均暗场DN值;为在温度点tθ、预期行周期、预期单级积分时间、预期像素增益和预期PGA增益以及最小积分级数下的平均暗场DN值;
则第i个像素在温度点tθ相对预期温度的暗电流偏差系数为:
步骤一四、通过下公式获取不同积分级数kTDIi、不同行周期长度tint、不同像素增益kpixelj和PGA增益kampk下的暗场DN值偏差ψi;
ψi=(Idark_ave-Idarki)×kTDI×tint×kpixel×kamp×tθ
式中,Idarki为第i个像素的暗电流,kTDI为探测器的积分级数,kpixel为探测器的像素增益,kamp为探测器的PGA增益;
步骤二、进行所述亮场下的成像参数测试,计算校正系数,具体过程为:
步骤二一、打开积分球,设定积分球输出的光能量Lp,p为光能量点个数;将TDICMOS探测器置于温度控制器内,调节温度控制器,将温度控制在的预期工作温度点tnormal,设定探测器的预期积分级数为kTDI_normal,探测器的单级积分时间按照预期行周期tint_normal设置固定不变,预期像素增益kpixel_normal和预期PGA增益kamp_normal保持不变,测量对应第i个像素的灰度值DNnormal_pi,计算探测器各像素在预期工作温度、单级积分时间以及成像参数下的拟合响应斜率系数knormal_i和平均响应斜率系数knormal_average,获得计算第i个像素的响应校正系数knormal_jiaozheng_i;
第i个像素的灰度值DNnormal_pi为:
DNnormal_pi=knormal_i×Lp+bnormal_i
式中,knormal_i为第i个像素的拟合响应斜率系数,bnormal_i为第i个像素的偏置,
计算所有像素的平均灰度值DNnormal_p_average为:
DNnormal_p_average=knormal_average×Lp+bnormal_average
式中,knormal_average为所有像素的拟合响应斜率系数,bnormal_average为所有像素的偏置平均值;
计算第i个像素的响应校正系数knormal_jiaozheng_i:
步骤二二、改变步骤二一中的TDICMOS探测器的积分级数为kTDI_m,测量积分球输出不同的光能量下除预期积分级数kTDI_normal下的响应校正系数kTDI_jiaozheng_mi,获得m-1个积分级数下的相对响应校正系数:
改变步骤二一中的TDICMOS探测器的像素增益为kpixel_n,测量积分球输出不同的光能量下除预期像素增益kpixel_normal的响应校正系数kpixel_jiaozheng_ni,获得n-1个像素增益下的相对响应校正系数:
改变步骤二一中的TDICMOS探测器的PGA增益为kamp_r,测量积分球输出不同的光能量下除预期PGA增益kamp_normal下的响应校正系数kamp_jiaozheng_ri,获得r-1个PGA增益下的相对响应校正系数:
步骤三、计算最终的校正系数;
步骤三一、根据步骤二在亮场下成像测试,获得第i个像素的最终乘数校正系数kjiaozheng_i,用下式表示为:
kjiaozheng_i=knormal_jiaozheng_i×kTDI_xdjz_mi×kpixel_xdjz_ni×kamp_xdjz_ri
步骤三二、在暗场测试下,计算第i个像素在当前的温度、积分时间、积分级数、像素增益和PGA增益下的暗场DN值DNdarkijk为:
DNdarkijk=(DNimin_normal-kTDImin×tint_normal×kpixel_normal×kamp_normal)+Idarki×kTDI×tint×kpixel×kamp
式中,DNimin_normal为第i个像素在预期行周期、预期单级积分时间、最小积分级数、预期像素增益和预期PGA增益下的暗场DN值;
步骤三三、根据步骤三一获得的最终乘数校正系数和步骤三二获得得暗场DN值DNdarkijk,获得偏置校正系数;
第i个像素的最终偏置校正系数bjiaozheng_i为:
bjiaozheng_i=(bjiaozheng_ave-kjiaozheng_i×(bi_normal+bnormal_average))
式中,bjiaozheng_ave为平均的偏置校正系数,bi_normal为在预期行周期、预期单级积分时间、预期积分级数、预期像素增益和预期PGA增益下的各像素偏置校正系数。
2.根据权利要求1所述的一种TDICMOS探测器的非均匀校正方法,其特征在于:包括TDICMOS数据校正系统,所述校正系统包括TDICMOS探测器、成像控制器、积分球以及图像数据采集及处理器;
所述成像控制器产生TDICMOS探测器工作所需的控制和驱动信号,TDICMOS探测器返回相关的状态信号,TDICMOS探测器输出的串行图像数据经成像控制器调理后,以并行图像数据的方式送入图像数据采集及处理器进行处理,实现成像参数和校正参数的计算,TDICMOS探测器和成像控制器放置在温度控制器内,实现恒定的温度控制。
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