[发明专利]电流检测电路及低压差稳压器电路有效
申请号: | 202010578691.9 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN111596118B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 罗可欣 | 申请(专利权)人: | 上海安路信息科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G05F1/56 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201203 上海市浦东新区郭守*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 检测 电路 低压 稳压器 | ||
1.一种电流检测电路,其特征在于,包括并联低压差稳压器电路、电流复制读出电路和第一NMOS管,所述并联低压差稳压器电路的第一端与所述第一NMOS管的源极连接,所述并联低压差稳压器电路的第二端与所述电流复制读出电路连接,所述并联低压差稳压器电路的第三端连接被检测电压,所述第一NMOS管的栅极接控制电压,所述第一NMOS管的漏极接输入电压,所述并联低压差稳压器包括第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管、第二PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管,所述第一PMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极均与所述第一NMOS管的源极连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极连接,且所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极均接地,所述第二PMOS管的源极连接所述被检测电压,所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极连接,且所述第二PMOS管的栅极和漏极短接,所述第四NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接,所述第四NMOS管的源极接地,所述第五NMOS管的漏极和栅极短接,且所述第五NMOS管的漏极接入偏置电流,所述第五NMOS管的栅极还与所述第四NMOS管的栅极连接,所述第五NMOS管的源极接地,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸比例与所述第四NMOS管和所述第二NMOS管的尺寸比例相同,所述电流复制读出电路包括第六NMOS管和第七NMOS管,所述第六NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接,所述第六NMOS管的源极接地,所述第七NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接,所述第七NMOS管的漏极与所述第六NMOS管的漏极连接,所述第七NMOS管的源极接地。
2.一种低压差稳压器电路,其特征在于,包括:
稳压器电路;
如权利要求1所述的电流检测电路;
其中,所述第一NMOS管的栅极和第二PMOS管源极均与所述稳压器电路连接。
3.根据权利要求2所述的低压差稳压器电路,其特征在于,所述稳压器电路包括误差放大器、第一电阻、第二电阻和第八NMOS管,所述误差放大器的输出端与所述第八NMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极连接,所述误差放大器的同相输入端接参考电压,所述误差放大器的反相输入端接所述第一电阻和所述第二电阻的一端,所述第一电阻的另一端与所述第八NMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接,所述第二电阻的另一端接地。
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