[发明专利]一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法

说明书

本发明公开一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法，本方法在SSD自带的DDR中开辟一部分空间，用来保存每个块的读次数，当SSD在读取NAND Flash的某个页的同时把对应的DDR地址中的值加1，在当前页读取操作结束时以一定概率检查当前块的读次数，如果读次数达到设定阈值时，将读取到的数据从Read Buffer拷贝到Write Buffer，并修改映射表，最终将数据写到NAND Flash的新地址，如果读次数达到需要处理的最大值，则将该块中剩余的有效数据全部搬走。本方法对数据搬移操作做平滑处理，避免某一时刻集中触发整个块数据搬移，既能消除读干扰对数据的影响，也能保证SSD的整体性能不会产生大的波动。

技术领域

本发明涉及NAND Flash读领域，具体是一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法。

背景技术

NAND Flash的读写以页（page）为单位进行，读取某个页（page）时需要在当前块（block）其他page的控制门极上增加一个Vpass电压，这就会导致在控制门极和源极之间产生电势差，产生weak program的效果，最终会影响NAND中保存的数据。这种现象或者特性通常被称为读干扰（Read Disturb），简称RDD。

常规的处理RDD的方式为判断到当前Block读取到一定次数时将该Block中保存的数据搬移到新的Block，但是这种方案会在一段时间内严重影响SSD的性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法，对数据搬移操作做平滑处理，避免某一时刻集中触发整个块（Block）数据搬移，既能消除读干扰对数据的影响，也能保证SSD的整体性能不会产生大的波动。

为了解决所述问题，本发明采用的技术方案是：一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法，本方法在SSD自带的DDR中开辟一部分空间，用来保存每个块的读次数，当SSD在读取NAND Flash的某个页的同时把对应的DDR地址中的值加1，在当前页读取操作结束时以一定概率P_check检查当前块的读次数，如果读次数达到设定阈值RDC_thr时，将读取到的数据从Read Buffer拷贝到Write Buffer，并修改映射表，最终将数据写到NAND Flash的新地址，如果读次数达到需要处理的最大值RDC_max，则将该块中剩余的有效数据全部搬走。

进一步的，，RDC_thr=920K。

进一步的，通过下述公式确认P_check、RDC_thr：

，FCB为Flash中每个块包含的DataFrame个数，是常数，取值范围为（0,99%）。

进一步的，的取值范围为（90%,99%）。

本发明的有益效果：本发明在传统的读干扰处理方法上充分考虑了读干扰处理可能对性能带来的影响，以一种重写的方式对NAND Flash读干扰平滑的进行处理，既能够消除读干扰对数据的影响，也能够保证SSD的整体性能不会产生大的波动。

附图说明

图1为实施例1的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。

实施例1