[发明专利]智能电表计量芯片晶振负载电容缺陷定位方法和装置在审

专利信息
申请号: 202010579055.8 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111696104A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 黄友朋;路韬;党三磊;祁舒喆;李金莉 申请(专利权)人: 广东电网有限责任公司计量中心
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/70;G01N23/046
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 郭帅
地址: 510080 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 智能 电表 计量 芯片 负载 电容 缺陷 定位 方法 装置
【说明书】:

发明提供了一种智能电表计量芯片晶振负载电容缺陷定位方法和装置,其中方法包括集待定位的智能电表计量芯片晶振负载电容的CT图像;对CT图像进行分析,确定智能电表计量芯片晶振负载电容存在的缺陷类型和缺陷位置。该方法基于CT技术利用X射线穿透陶瓷电容样品的工作原理属于无损测试,可以避免破坏陶瓷电容样品以及样品内的缺陷,对陶瓷电容样品进行了有效地保护;同时使其内部缺陷部位的定位分析前较好的避免的外界不必要的机械应力和热应力的干扰,从而能够准确的定位到陶瓷电容的内部缺陷;同时CT技术拍照比传统机械研磨速度更快,可以节省较多时间,能够提高效率,该方法简单、易操作,具有较强的适用性。

技术领域

本发明涉及晶振负载电容缺陷定位技术领域,具体涉及一种智能电表计量芯片晶振负载电容缺陷定位方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

计量芯片作为智能电表的核心部件之一,关系到电表的计量性能,而计量芯片的正常工作需要时钟,晶振则起到为计量芯片提供工作时钟的作用。晶振负载电容是指接在晶振两个引脚上的对地电容,其容量一般在几十皮法左右,其类型一般为陶瓷电容器。晶振负载电容的性能优劣直接影响到晶振的稳定度,继而影响到智能电表的可靠性。

陶瓷电容是由陶瓷介质、内电极金属层和外电极(端头电极)构成,由多层陶瓷介质印刷内电极浆料,叠合共烧而成。由于智能电表计量芯片晶振负载陶瓷电容在实际生产和使用中经常出现失效问题,从而影响企业生产及智能电表的使用性能,因此,对失效陶瓷电容进行失效分析具有非常积极的现实意义。

现有智能电表计量芯片晶振负载陶瓷电容的失效分析方法是将失效陶瓷电容制成金相切片样品,采用机械研磨的方法研磨至陶瓷电容的内部,并在金相显微镜或电子扫描显微镜下观察切片形貌。如果未发现异常,就重复研磨以供观察直至研磨到缺陷出现或内电极完全消失才停止。但在实际分析中,发明人发现,这种分析方法对于陶瓷电容严重机械损伤,属于不可逆破坏,且步骤较多和费时。因此亟需提供一种对智能电表计量芯片晶振负载陶瓷电容内部的缺陷无损定位的方法。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种智能电表计量芯片晶振负载电容缺陷定位方法、装置、计算机设备和存储介质用来解决现有的机械研磨陶瓷电容的陶瓷电容失效分析方法对陶瓷电容机械损伤严重,步骤较多和费时的技术问题。

一种智能电表计量芯片晶振负载电容缺陷定位方法,所述方法应用于CT成像系统,包括以下步骤:

采集待定位的智能电表计量芯片晶振负载电容的CT图像;

对所述CT图像进行分析,确定所述智能电表计量芯片晶振负载电容存在的缺陷类型和缺陷位置。

进一步地,

在采集待定位的智能电表计量芯片晶振负载电容的CT图像的步骤之前,包括:

将所述待定位的智能电表计量芯片晶振负载电容放置于所述CT成像系统的精密样品台上;

采用所述CT成像系统的微焦点射线源发射X射线作用于所述待定位的智能电表计量芯片晶振负载电容,并采用所述CT成像系统的探测器接收信号形成CT图像。

进一步地,

在对所述CT图像进行分析的步骤中,包括:

采用图形分析软件对所述CT图像进行分析。

进一步地,

所述CT图像为多张;在对CT图像进行分析的步骤之前,还包括:

对多张所述CT图像进行重构。

进一步地,

所述缺陷类型包括结瘤缺陷、空洞缺陷、分层缺陷和裂缝。

进一步地,

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