[发明专利]带状线谐振器结构及由谐振器结构组成的磁调谐陷波器在审
| 申请号： | 202010579534.X | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111613863A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 燕志刚;王大勇;陈运茂;张平川;何志强;李俊;荣建海 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | H01P7/08 | 分类号： | H01P7/08;H01P1/208 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带状线 谐振器 结构 组成 调谐 陷波 | ||
【权利要求书】：
1.一种带状线谐振器结构，其特征在于：由带状线中心导体、带状线外导体，钆镓石榴石晶体和YIG单晶薄膜组成，其中，所述YIG单晶薄膜和钆镓石榴石晶体在所述带状线内，内外导体之间，沿带状线中心导体依次排列。
2.根据权利要求1所述的一种带状线谐振器结构，其特征在于：所述YIG单晶薄膜成块状，YIG单晶薄膜的饱和磁化强度为1000～1750Gs，谐振线宽为0.3～O.6
3.根据权利要求2所述的一种带状线谐振器结构，其特征在于：所述YIG单晶薄膜的饱和磁化强度为1000～1750Gs，谐振线宽为0.3～O.6
4.由权利要求1-3任意一项所述的带状线谐振器结构组成的磁调谐陷波器，其特征在于：包括上磁路和下磁路，所述上磁路和下磁路之间设置空气隙，所述空气隙处设置所述带状线谐振器结构，所述下磁路内设置励磁线圈。
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