[发明专利]一种基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路

权利要求书

1.一种基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，在同一芯片内集成有温度补偿单元、多阶式正温度系数电压单元以及准电流镜偏置单元；

其特征在于，

所述的温度补偿单元包括二极管(D1)和第一电阻(R1)，所述的二极管(D1)正极连接电源电压(Vc)，负极一路经过第一电阻(R1)接地，另一路作为输出端连接至所述多阶式正温度系数电压单元；

所述的多阶式正温度系数电压单元包括GaAs HBT工艺制作的若干HBT管，各HBT管均为各自的基极和集电极短接，且依次串联在温度补偿单元输出端与地之间；每一所述HBT管的集电极分别引出一路作为多阶式的电压输出端；

所述的准电流镜偏置单元包括正温系数第二电阻(R2)和电流镜；所述的正温系数第二电阻(R2)一端作为所述准电流镜偏置单元的电压输入，另一端连接所述电流镜的输入侧；所述电流镜输出侧用于输出偏置电流(I_bias)；

所述准电流镜偏置单元的电压输入连接所述多阶式的电压输出端之一。

2.根据权利要求1所述基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，其特征在于，所述的电流镜包括第一输入侧HBT管(M_A0)和第一输出侧HBT管(M_B0)；所述第一输入侧HBT管(M_A0)的基极和集电极短接后连接所述正温系数第二电阻(R2)，发射极接地；所述第一输出侧HBT管(M_B0)的基极连接所述第一输入侧HBT管(M_A0)的基极，集电极外接基准电压(V_REF)、发射极用于对外输出所述的偏置电流(I_bias)。

3.根据权利要求2所述基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，其特征在于，所述的电流镜还包括电容(C1)，所述的电容(C1)并接在所述第一输入侧HBT管(M_A0)和第一输出侧HBT管(M_B0)各自的发射极之间。

4.根据权利要求1所述基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，其特征在于，所述的电流镜包括第二输入侧HBT管(M_A1)、第三输入侧HBT管(M_A2)、第二输出侧HBT管(M_B1)和第三输出侧HBT管(M_B2)；

所述的第二输入侧HBT管(M_A1)集电极和基极短接后连接所述正温系数第二电阻(R2)，发射极连接第三输入侧HBT管(M_A2)的发射极；

所述的第三输入侧HBT管(M_A2)发射极与基极短接，集电极接地；

所述的第二输出侧HBT管(M_B1)和第三输出侧HBT管(M_B2)的基极均连接所述第二输入侧HBT管(M_A1)基极，集电极均外接基准电压(V_REF)，发射极共点后用于对外输出所述的偏置电流(I_bias)。

5.根据权利要求4所述基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，其特征在于，所述的电流镜还包括电容(C1)，所述的电容(C1)接在所述第二输出侧HBT管(M_B1)发射极与地之间。