[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 202010579949.7 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN111653605A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 杨凯;方旭阳;刘明星;李伟丽;李文星 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 方晓燕 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置。该显示面板包括:显示区域;以及围绕显示区域的边框区域,边框区域包括:靠近显示区域的隔断区域,隔断区域包括隔断结构,隔断结构围绕显示区域,用于隔断设置于显示区域和至少部分隔断区域的第二电极层。本申请在边框区域的隔断区域设置隔断结构,隔断结构是围绕显示区域的环形结构,可以是倒梯形或T字形结构,用于隔断显示区域和边框区域的第二电极层,可以理解第二电极层包括阴极层,即把蒸镀到激光热影响区域的阴极层与显示区域的阴极层隔断,防止激光产生的热量通过阴极层传递到显示区域,从而影响显示面板的可靠性。同时可以减小边框区的宽度,实现显示面板的窄边框。
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
显示面板生产过程中,使用通用金属掩模板(common metal mask,CMM)进行共通层(如阴极)的整面蒸镀。但由于CMM在蒸镀时的阴影效应和对位精度不高等因素造成偏位,导致阴极蒸镀的位置靠近激光切割或激光烧结封装时的激光光斑区域。激光产生的热量会通过阴极传递到显示区域,从而影响显示面板的可靠性。为了防止激光热对显示区域的不良影响,现有的设计方案中通常是在蒸镀阴极时,增大阴极到激光光斑中心的距离,但不利于实现显示面板的窄边框。
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置,能够防止激光热通过阴极层传递到显示区域,影响显示面板的可靠性,同时能够减小显示面板的边框,提高屏占比。
本申请实施例第一方面提供一种显示面板,该显示面板包括:显示区域;以及围绕显示区域的边框区域,边框区域包括:靠近显示区域的隔断区域,隔断区域包括隔断结构,隔断结构围绕显示区域,用于隔断设置于显示区域和至少部分隔断区域的第二电极层。
根据本申请实施例的前述实施方式,隔断结构在显示面板的层叠方向上的截面呈倒梯形,且隔断结构侧面倾角小于或等于60°。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,该显示区域还包括平坦化层、像素定义层和支撑柱中的至少一种,隔断结构与平坦化层、像素定义层和支撑柱中的至少一种在同一工序中形成。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,隔断结构在显示面板的层叠方向上的截面呈T字型。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,隔断结构包括:支撑部;以及隔断部,位于支撑部上,隔断部在显示面板的衬底上的正投影覆盖支撑部在显示面板的衬底上的正投影,且支撑部的最大宽度小于隔断部的宽度。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,显示区域还包括缓冲层、隔离层、栅极绝缘层、电容绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层、像素限定层或支撑柱中的至少一种,隔断部与缓冲层、隔离层、栅极绝缘层、电容绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层、像素限定层或支撑柱中的至少一种在同一工序中形成;和/或支撑部与缓冲层、隔离层、栅极绝缘层、电容绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层、像素限定层或支撑柱中的至少一种在同一工序中形成。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,显示区域还包括封装层,封装层至少覆盖隔断结构远离显示区域的侧部。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,显示面板还包括封装结构,封装结构位于边框区域,且位于隔断结构远离显示区域的一侧。
根据本申请实施例的前述任一实施方式,隔断结构呈围绕显示区域的环形结构,隔断结构的数量为两个以上,在隔断区域,多个隔断结构由远离显示区域的一侧向靠近显示区域的一侧间隔排布。
本申请实施例第二方面提供显示装置,该显示装置包括上述任一实施例中的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的