[发明专利]一种垂直沟道SRAM集成电路结构

权利要求书

1.一种垂直沟道SRAM集成电路结构，它是由一种新型MOS管结构构成，其结构为纵向结构，在纵向上分别设置有源极区域、半导体沟道区域以及漏极区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极区域可通过引线孔从外侧引出，通过将一个PMOS管和NMOS管串联，栅极互联作为输入，漏极互联作为输出，PMOS接V_DD，NMOS接V_GND从而形成反相器。再将两个反相器首尾相连从而形成一个双稳态结构单元，作为SRAM存储的核心单元，其特征在于，每一个MOS管在外圈的四面均有氧化层、多晶硅层，这样可以在提供四面的沟道，加强了栅控能力，减小导通阻抗，增加了电流密度。

2.如权利要求1所述一种垂直沟道SRAM集成电路结构，其特征在于，所述栅介质层为SiO2、HfO2等常规栅介质材料。

3.如权利要求1所述一种垂直沟道SRAM集成电路结构，其特征在于，所述源极区域可以用单晶Ge、多晶Ge、赝晶Ge、SiGe、碲镉汞、InP等窄禁带半导体材料。

4.如权利要求1所述一种垂直沟道SRAM集成电路结构，其特征在于，沟道半导体区材料为Si材料，源极区域为窄禁带半导体材料；或者，沟道半导体区材料为宽禁带半导体材料，源极区域为窄禁带半导体材料；或者，沟道半导体区材料为宽禁带半导体材料，源极区域为Si材料。

5.如权利要求1所述一种垂直沟道SRAM集成电路结构，其特征在于，所述源极和漏极为金属电极，所述栅电极为N+多晶硅或者金属电极或者以上两者的结合。

6.如权利要求1所述一种垂直沟道SRAM集成电路结构，其特征在于，所述沟道半导体区包两个第一导电类型区和一个第二导电类型区，一个第一导电类型区设置于源极和第二导电类型区之间，另一个第一导电类型区设置于漏极和第二导电类型区之间，且在靠近第二导电类型的一侧设有轻掺杂的第一导电类型区作为漂移区；第一导电类型区的材质为P型半导体，第二导电类型区的材质为N型半导体；或者，第一导电类型区的材质为N型半导体，第二导电类型区的材质为P型半导体。

7.如权利要求1所述一种垂直沟道SRAM集成电路结构，其特征在于，PMOS管P-轻掺杂层、NMOS管N-轻掺杂层，作为轻掺杂漏极。