[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

积层体，在第1方向上交替地积层有多个第1绝缘层与多个栅极电极层；

第1半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；

第2半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；

第3半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；

第1电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第1半导体层之间；

第2电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第2半导体层之间；

第3电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第3半导体层之间；以及

第2绝缘层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸，在与所述第1方向垂直且包含所述栅极电极层的面内，与所述第1半导体层或所述第1电荷蓄积层、所述第2半导体层或所述第2电荷蓄积层、及所述第3半导体层或所述第3电荷蓄积层相接；且

在与所述第1方向平行且包含所述第2绝缘层的第1截面内，所述栅极电极层的中间隔着所述第2绝缘层的2个端面之间的第1距离是从所述栅极电极层中的一个第1栅极电极层到朝向所述第1方向远离的所述栅极电极层中的另一个第2栅极电极层单调递增，

在与所述第1方向平行且包含所述第2绝缘层、与所述第1截面不同的第2截面中，所述栅极电极层的中间隔着所述第2绝缘层的2个端面之间的第2距离是从所述第1栅极电极层朝向所述第1方向单调递增之后，暂时减少，进而一直到所述第2栅极电极层单调递增。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1截面包含所述第1半导体层、所述第2半导体层、及所述第3半导体层中的至少任一个，

所述第2截面不包含所述第1半导体层、所述第2半导体层、及所述第3半导体层中的任一个。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

第4半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；及

第4电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第4半导体层之间；且

所述第2绝缘层与所述第4半导体层或所述第4电荷蓄积层相接。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1电荷蓄积层、所述第2电荷蓄积层、所述第3电荷蓄积层分别具有隧道绝缘膜、所述隧道绝缘膜与所述栅极电极层之间的半导体膜、及所述半导体膜与所述栅极电极层之间的阻挡绝缘膜。

5.一种半导体存储装置，具备：

积层体，在第1方向上交替地积层有多个第1绝缘层与多个栅极电极层；

第1半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；

第2半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；

第3半导体层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸；

第1电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第1半导体层之间；

第2电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第2半导体层之间；

第3电荷蓄积层，设置在所述栅极电极层与所述第3半导体层之间；以及

第2绝缘层，设置在所述积层体之中，在所述第1方向上延伸，在与所述第1方向垂直且包含所述栅极电极层的面内，与所述第1半导体层或所述第1电荷蓄积层、所述第2半导体层或所述第2电荷蓄积层、及所述第3半导体层或所述第3电荷蓄积层相接；且

在与所述第1方向垂直且包含所述第1半导体层的第1平面中，不包含所述第2绝缘层，

在与所述第1方向垂直且包含所述第1半导体层、位于比所述第1平面更靠所述第1方向的第2平面中，包含所述第2绝缘层。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中在所述第1平面中，所述栅极电极层位于由连结所述第1半导体层与所述第2半导体层的线段、连结所述第2半导体层与所述第3半导体层的线段、及连结所述第3半导体层与所述第1半导体层的线段所包围的区域内。