[发明专利]薄膜体声波谐振器制作方法、薄膜体声波谐振器及滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基片(100)的上表面制备压电薄膜(101)；

在所述压电薄膜(101)的上表面制备金属顶电极(102)，并对所述金属顶电极(102)进行图形化；

在所述压电薄膜(101)的上表面制备临时晶圆键合介质层(103)，其中，所述临时晶圆键合介质层(103)完全覆盖图形化的所述金属顶电极(102)；

通过临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质层(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)；

去除所述衬底基片(100)，并对所述压电薄膜(101)进行图形化；

在所述压电薄膜(101)的下表面制备金属底电极(104)，并对所述金属底电极(104)进行图形化；

在图形化的所述压电薄膜(101)的下表面制备永久晶圆键合介质层(105)，其中，所述永久晶圆键合介质层(105)完全覆盖图形化的所述金属底电极(104)；

在所述永久晶圆键合介质层(105)的下表面永久键合设有凹槽结构(301)的第二载片晶圆(300)，其中，所述凹槽结构(301)的开口与所述永久晶圆键合介质层(105)的下表面贴合；

去除所述第一载片晶圆(200)和所述临时晶圆键合介质层(103)，得到薄膜体声波谐振器；

其中，所述在衬底基片(100)的上表面制备压电薄膜(101)，包括：

分别通过离子注入工艺、化学气相沉积技术、磁控溅射技术，或者通过磁控溅射技术与化学气相沉积技术相结合的方式，在所述衬底基片(100)的上表面制备厚度为500nm～10μm的所述压电薄膜(101)。

2.根据1所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述通过临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)，包括：

通过设置好键合参数的临时键合工艺在所述临时晶圆键合介质层(103)的上表面黏结第一载片晶圆(200)，其中，所述键合参数包括：键合温度为150～450℃，键合压力为1KN～6KN。

3.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述去除所述衬底基片(100)之后，还包括：

通过化学机械抛光的方式对所述压电薄膜(101)的下表面进行抛光处理。

4.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述压电薄膜(101)的上表面制备金属顶电极(102)，包括：

通过光刻工艺、镀膜工艺、剥离工艺或刻蚀工艺在所述压电薄膜(101)的上表面制备厚度为200nm～2μm的所述金属顶电极(102)。

5.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述在所述压电薄膜(101)的上表面制备临时晶圆键合介质层(103)，包括：

通过旋涂工艺在所述压电薄膜(101)的上表面制备厚度为5μm～50μm的所述临时晶圆键合介质层(103)，其中，所述临时晶圆键合介质层(103)的材质为聚合物材料。

6.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述在图形化的所述压电薄膜(101)的下表面制备永久晶圆键合介质层(105)，包括：

通过化学气相沉积技术在图形化的所述压电薄膜(101)的下表面制备所述永久晶圆键合介质层(105)。

7.根据权利要求1或2所述的一种薄膜体声波谐振器制作方法，其特征在于，所述去除所述第一载片晶圆(200)和所述临时晶圆键合介质层(103)，包括：

通过机械解键合工艺、激光解键合工艺、背面研磨减薄法、干法刻蚀工艺或湿法腐蚀工艺去除所述第一载片晶圆(200)；

通过湿法或干法清洗去除所述临时晶圆键合介质层(103)。