[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

半导体基板；

存储器单元阵列，在与所述半导体基板的表面交叉的第1方向上与所述半导体基板相隔配置；以及

第1晶体管阵列及第2晶体管阵列，设置在所述半导体基板上；且

所述半导体基板具备：第1区域～第4区域，在与所述第1方向交叉的第2方向上依序排列；及第5区域～第8区域，在所述第2方向上依序排列；

在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上，

所述第5区域与所述第1区域相邻，

所述第6区域与所述第2区域相邻，

所述第7区域与所述第3区域相邻，

所述第8区域与所述第4区域相邻，

所述存储器单元阵列具备：

多个第1导电层，在所述第1区域～所述第4区域中在所述第2方向上延伸，且在所述第1方向上积层；

多个第1半导体柱，设置在所述第1区域，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层对向；

多个第1连接接点，设置在所述第2区域，在所述第1方向上延伸，且在所述第1方向的一端与所述多个第1导电层分别连接；

多个第2半导体柱，设置在所述第4区域，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层对向；

多个第2导电层，在所述第5区域～所述第8区域中在所述第2方向上延伸，且在所述第1方向上积层；

多个第3半导体柱，设置在所述第5区域，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第2导电层对向；

多个第2连接接点，设置在所述第7区域，在所述第1方向上延伸，且在所述第1方向的一端与所述多个第2导电层分别连接；及

多个第4半导体柱，设置在所述第8区域，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第2导电层对向；且

所述第1晶体管阵列

设置在包含所述第2区域及所述第6区域的区域，且

具备：多个第1晶体管，在所述第2方向上排列；及多个第2晶体管，在所述第2方向上排列；

所述多个第2晶体管隔着设置在所述半导体基板的表面的绝缘区域与所述多个第1晶体管在所述第3方向上相邻，

所述多个第1晶体管及所述多个第2晶体管经由所述多个第1连接接点与所述多个第1导电层连接，

所述第2晶体管阵列

设置在包含所述第3区域及所述第7区域的区域，且

具备：多个第3晶体管，在所述第2方向上排列；及多个第4晶体管，在所述第2方向上排列；

所述多个第3晶体管隔着所述绝缘区域与所述多个第4晶体管在所述第3方向上相邻，

所述多个第3晶体管及所述多个第4晶体管经由所述多个第2连接接点与所述多个第2导电层连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述多个第1晶体管设置在所述第2区域，

所述多个第2晶体管设置在所述第6区域，

所述多个第3晶体管设置在所述第3区域，

所述多个第4晶体管设置在所述第7区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其具备：

多个第1贯通接点，设置在所述第3区域，在所述第1方向上至少从所述多个第1导电层的最上层延伸至最下层；及

多个第2贯通接点，设置在所述第6区域，在所述第1方向上至少从所述多个第2导电层的最上层延伸至最下层；且

所述多个第1晶体管及所述多个第2晶体管经由所述多个第2贯通接点及所述多个第1连接接点与所述多个第1导电层连接，所述多个第3晶体管及所述多个第4晶体管经由所述多个第1贯通接点及所述多个第2连接接点与所述多个第2导电层连接。