[发明专利]用于IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路和其模拟测试方法

权利要求书

1.用于IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括：充电电容CU、驱动单元、保护限流单元和钳位单元，驱动单元包括门极G端、集电极C端和发射极S端；保护限流单元包括辅助开关T3和高压电阻R1、续流二极管D1和续流二极管D2；钳位单元包括：限流电感L和绝缘栅双极型晶体管IGBT T2；辅助开关T3和驱动单元串联连接后并联在所述充电电容CU的两端，高压电阻R1连接于驱动单元的集电极C端和发射极S端之间；

限流电感L和IGBT T2串联后并联在所述充电电容CU的两端，所述IGBT T2的基极与所述驱动单元的门极G连接；所述限流电感L与所述IGBT T2两端分别反向并联有续流二极管D1、D2。

2.用于IGBT驱动退饱和保护功能的测试方法，其特征在于，所述测试方法用于权利要求1中的所述测试电路，包括：

S1：控制绝缘栅双极型晶体管IGBT T2导通，包括：充电电容CU为测试电路充电，辅助开关T3处于关断状态，电流流过限流电感L流入绝缘栅双极型晶体管T2，驱动单元的集电极C端和发射极S端通过高压电阻R1连接，所述驱动单元集电极C端与驱动单元发射极S端之间的电压为零伏，即驱动单元检测到的电压为零伏；

S2：检测绝缘栅双极型晶体管T2发射极电流是否小于或等于其额定电流；

S3：当绝缘栅双极型晶体管T2发射极电流无限接近其额定电流，控制辅助开关T3导通；

S4：检测驱动单元集电极C端与驱动单元发射极S端之间的电压是否超过绝缘栅双极型晶体管T2退饱和门限电压；

S5：如果检测到的驱动单元集电极C端与驱动单元发射极S端之间的电压超过绝缘栅双极型晶体管T2退饱和门限电压，则关断绝缘栅双极型晶体管T2。