[发明专利]一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010582154.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933694A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘建;税国华;林涛;欧红旗;冯志成;阚玲;刘青;朱坤峰;黄磊;王飞;张剑乔;张培健 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/808;H01L21/28;H01L21/337 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 掺杂 平滑 jfet 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件，其特征在于，包括第一导电类型衬底(100)、所述第一导电类型埋层(101)、第二导电类型外延层(102)、第一导电类型隔离穿透区(103)、场氧层(104)、预氧层(105)、第一导电类型沟道区(106)、第一导电类型重掺杂源漏区(107)、多晶栅区(108)、第二导电类型栅扩散区(109)、TEOS金属前介质层(110)、源漏极第一层金属(111)和栅极第一层金属(112)。
所述第一导电类型衬底(100)上表面的两端淀积有第一导电类型埋层(101)；
所述第二导电类型外延层(102)覆盖在第一导电类型衬底(100)之上；
所述第二导电类型外延层(102)的两端与第一导电类型埋层(101)相接触；
所述第一导电类型隔离穿透区(103)的下表面与第一导电类型埋层(101)上表面相连；
所述第一导电类型隔离穿透区(103)与第二导电类型外延层(102)的两端相接触；
所述场氧层(104)覆盖在第一导电类型隔离穿透区(103)的上表面；
所述场氧层(104)和第二导电类型外延层(102)上表面接触；
所述场氧层(104)和第一导电类型沟道区(106)接触；
所述预氧层(105)覆盖在第二导电类型外延层(102)上表面；
所述预氧层(105)的两端分别与位于不同位置的场氧层(104)相接触；
所述第一导电类型沟道区(106)填充在第二导电类型外延层(102)内；
所述第一导电类型重掺杂源漏区(107)填充在第一导电类型沟道区(106)内，位于第一导电类型沟道区(106)两端；
所述第一导电类型重掺杂源漏区(107)内开设有接触孔I；
所述接触孔I分别与预氧层(105)和TEOS金属前介质层(110)相接触；
所述多晶栅区(108)部分覆盖在第一导电类型沟道区(106)上表面；
所述多晶栅区(108)与栅极第一层金属(112)的下表面接触；
所述多晶栅区(108)内开设有接触孔II；
所述接触孔II与TEOS金属前介质层(110)相接触；
所述第二导电类型栅扩散区(109)位于第一导电类型沟道区(106)内部；
所述第二导电类型栅扩散区(109)的上表面与所述多晶栅区(108)的下表面相接触；
所述TEOS金属前介质层(110)覆盖在多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件未开设接触孔I、接触孔II的表面；
所述源漏极第一层金属(111)填充在接触孔I内部；
所述源漏极第一层金属(111)覆盖在第一导电类型重掺杂源漏区(107)之上；
所述源漏极第一层金属(111)分别与预氧层(105)、第一导电类型重掺杂源漏区(107)和TEOS金属前介质层(110)相接触；
所述栅极第一层金属(112)填充在接触孔II内；
所述栅极第一层金属(112)分别与多晶栅区(108)和TEOS金属前介质层(110)相接触。
2.根据权利要求1或2所述的一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件，其特征在于：所述第一导电类型重掺杂源漏区(107)呈条状结构。
3.根据权利要求1所述的一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件，其特征在于：所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
4.根据权利要求1所述的一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件，其特征在于：所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。
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