[发明专利]具有无衬层自形成阻挡部的集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

衬底上方的电介质材料；以及

所述电介质材料中的沟槽中的互连结构，所述互连结构包括导电填充材料和二维(2D)晶体衬层，所述2D晶体衬层与所述电介质材料以及与所述导电填充材料直接接触，并且所述2D晶体衬层包括与所述导电填充材料相同的金属物质。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层是单层的。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层具有小于5纳米的厚度。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述金属物质是铜。

5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述金属物质是钴。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述金属物质是钨。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层还在所述互连结构的顶表面上。

8.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述互连结构包括导电过孔上的导电线。

9.一种集成电路结构，包括：

栅电极之上的半导体氧化物材料；

所述半导体氧化物材料的第一区上的一对导电接触部，其中所述半导体氧化物材料的第二区在所述一对导电接触部之间，其中，所述一对导电接触部中的每个包括导电填充材料和二维(2D)晶体衬层，所述2D晶体衬层与所述半导体氧化物材料以及与所述导电填充材料直接接触，并且所述2D晶体衬层包括与所述导电填充材料相同的金属物质。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层是单层的。

11.根据权利要求9或10所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层具有小于5纳米的厚度。

12.根据权利要求9或10所述的集成电路结构，其中，所述金属物质是铜。

13.根据权利要求9或10所述的集成电路结构，其中，所述金属物质是钴。

14.根据权利要求9或10所述的集成电路结构，其中，所述金属物质是钨。

15.根据权利要求9或10所述的集成电路结构，其中，所述半导体氧化物材料包括选自由氧化铟镓锌、氧化锡、氧化锑、氧化铟、氧化铟锡、氧化钛、氧化锌、氧化铟锌、氧化镓、氮氧化钛、氧化钌和氧化钨构成的组的材料。

16.根据权利要求9或10所述的集成电路结构，还包括：

所述栅电极与所述半导体氧化物材料之间的栅极电介质层。

17.根据权利要求16所述的集成电路结构，其中，所述栅极电介质层包括直接在所述半导体氧化物材料上的高k电介质材料层。

18.一种集成电路结构，包括：

半导体鳍状物；以及

所述半导体鳍状物之上的栅电极，所述栅电极包括导电填充材料和二维(2D)晶体衬层，所述2D晶体衬层与所述导电填充材料直接接触，所述2D晶体衬层包括与所述导电填充材料相同的金属物质，并且所述2D晶体衬层具有与所述导电填充材料不同的功函数。

19.根据权利要求18所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层是单层的。

20.根据权利要求18或19所述的集成电路结构，其中，所述2D晶体衬层具有小于5纳米的厚度。