[发明专利]一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法

权利要求书

1.一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，其特征在于，包括：

按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展；

根据冲突判断结果，对冲突区域和不合理区域进行处理；

对两次直写进行结果验证和规则验证；

按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展，包括：

根据拆分后得到的矩形，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，直至所有矩形扩展完成，完成第一次直写；

按照扩展规则，将拆分后的图像进行两次相反方向的直写扩展，还包括：

按照第一次直写的扩展规则，根据所述第一扩展路径的相反扩展方向进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；

根据冲突判断结果，对冲突区域和不合理区域进行处理，包括：

判断第一次直写扩展和第二次直写扩展中是否存在冲突，若产生冲突，则对冲突区域进行标记和调试，并调整扩展方向或者调整扩展区域尺寸，同时对不合理区域进行填充和消除。

2.如权利要求1所述的用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，其特征在于，对两次直写进行结果验证和规则验证，包括：

将第一次直写结果和第二次直写结果进行逻辑与运算，并将运算结果与原始版图不一致的区域进行标记。

3.如权利要求2所述的用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，其特征在于，对两次直写进行结果验证和规则验证，还包括：

对第一次直写和第二次直写得到的所有图形的线宽和间距与规则要求进行验证，并将不满足规则要求的区域进行标注和调整，直至满足掩模制造规则。