[发明专利]一种电路老化时序分析方法及系统在审
申请号: | 202010583391.X | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN111737938A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 吴玉平;陈岚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F30/3312 | 分类号: | G06F30/3312;G06F119/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 老化 时序 分析 方法 系统 | ||
1.一种电路老化时序分析方法,包括:
S1,获取电路中同构路径;
S2,对所述同构路径进行分析,以获得所述同构路径的工作状态;
S3,获得所述工作状态对延时的影响大小,并根据所述影响大小对所述同构路径按预设规则进行排序;
S4,对部分同构路径进行时序分析,对另一部分同构路径复用已进行时序分析的时序分析结果。
2.根据权利要求1所述的电路老化时序分析方法,所述步骤S2包括:
对所述电路进行IR分析,以获得每一时序路径上每一电路单元的实际工作电压;和/或
对所述电路进行热力分析,以获得每一时序路径上每一电路单元的每一器件的实际工作温度;和/或
对所述电路进行逻辑仿真分析,以获得每一器件的特征参数,进而获得所述电路设计工作寿命时间点器件的老化状态,其中,所述特征参数包括器件控制信号的频率、时间占空比、高电平所对应的电压值。
3.根据权利要求2所述的电路老化时序分析方法,所述获得所述工作状态对延伸的影响大小包括:
获得所述实际工作电压偏离设计工作电压所导致的延时漂移;和/或
获得所述实际工作温度偏离设计工作温度所导致的延时漂移;和/或
获得所述器件老化偏离器件0老化所导致的延时漂移。
4.根据权利要求3所述的电路老化时序分析方法,所述预设规则包括从小到大或从大到小。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的电路老化时序分析方法,所述步骤S4具体为对所述顺序排列的同构路径从一端开始进行时序分析,直至临界路径,未进行时序分析的同构路径的时序分析复用所述临界路径的时序分析结果,其中,临界路径为满足时序要求与不满足时序要求转变的同构路径。
6.根据权利要求1~4任意一项所述的电路老化时序分析方法,所述步骤S4还包括:
对顺序排列的同构路径的中间位置m处的路径进行时序分析。
7.根据权利要求6所述的电路老化时序分析方法,所述步骤S4包括:当所述顺序为从小到大,若所述中间位置m符合时序要求时,则将第1条至第m-1条时序路径复用第m条路径的时序分析结果,对第m+1条至顺序排列中最后一条路径进行时序分析;若所述中间位置m不符合时序要求,则将第m+1条至顺序排列中最后一条路径复用第m条路径的时序分析结果,对第1条至第m-1条时序路径进行时序分析。
8.根据权利要求6所述的电路老化时序分析方法,所述步骤S4还包括:当所述顺序为从大到小,若所述中间位置m满足时序要求,将第m+1条至顺序排列中最后一条路径复用第m条路径的时序分析结果,对第1条至第m-1条时序路径进行时序分析;若所述中间位置m不满足时序要求,则将第1条至第m-1条时序路径复用第m条时序路径的分析结果,对第m+1条至顺序排列中最后一条进行时序分析。
9.一种电路老化时序分析系统,包括:
获取模块,用于获取电路中同构路径;
分析模块,用于对所述同构路径进行分析,以获得所述同构路径的工作状态;
排序模块,用于获得所述工作状态对延时的影响大小,并根据所述影响大小对所述同构路径按预设规则进行排序;
处理模块,用于对部分同构路径进行时序分析,对另一部分同构路径复用已进行时序分析的时序分析结果。
10.根据权利要求9所述的电路老化时序分析系统,所述分析模块包括:
IR分析模块,用于对所述电路进行IR分析,以获得每一时序路径上每一电路单元的实际工作电压;和/或
热力分析模块,用于对所述电路进行热力分析,以获得每一时序路径上每一电路单元的每一器件的实际工作温度;和/或
仿真分析模块,用于对所述电路进行逻辑仿真分析,以获得每一器件的特征参数,进而获得所述电路设计工作寿命时间点器件的老化状态,其中,所述特征参数包括器件控制信号的频率、时间占空比、高电平所对应的电压值。
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