[发明专利]光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法

权利要求书

1.一种光电驱动雪崩二极管忆阻器件，其特征在于，包括：

衬底P-Sub、NBL区、第一环形DN-Well区、环形P-epi区、第二DN-Well区、第一环形浅槽隔离区、环形N+注入区、第二环形浅槽隔离区、环形P-Well区、N-Well区、P+注入区和多晶硅环栅；

所述衬底P-Sub上设有所述NBL区，所述NBL区上设有所述第一环形DN-Well区，所述第一环形DN-Well区中设有所述第一环形浅槽隔离区和所述环形N+注入区，所述第二环形浅槽隔离区位于所述第一环形DN-Well区与所述环形P-epi区的交界处；所述环形P-epi区内设有所述环形P-Well区和所述多晶硅环栅，所述第二DN-Well区中设有所述N-Well区，所述N-Well区中设有所述P+注入区；

所述P+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阳极；所述N+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阴极。

2.根据权利要求1所述的光电驱动雪崩二极管忆阻器件，其特征在于，所述第一环形DN-Well区中设有所述第一环形浅槽隔离区，所述第一环形浅槽隔离区的内侧与环形N+注入区外侧边缘接触，所述第一环形浅槽隔离区的外侧与第一环形DN-Well区外侧边缘接触。

3.根据权利要求2所述的光电驱动雪崩二极管忆阻器件，其特征在于，所述P+注入区周围设有多晶硅环栅，所述多晶硅环栅外侧设有第二环形浅槽隔离区，所述多晶硅环栅内侧与所述P+注入区外侧边缘接触，所述多晶硅环栅外侧与所述第二环形浅槽隔离区内侧边缘接触，所述第二环形浅槽隔离区外侧与所述环形N+注入区内侧边缘接触，所述第二环形浅槽隔离区横跨所述第一环形DN-Well区和所述环形P-epi区的交界处，所述N-Well区与所述第二DN-Well区边缘重合。

4.根据权利要求3所述的光电驱动雪崩二极管忆阻器件，其特征在于，在周期性脉冲信号的激励下，当信号来到器件阴极，器件阳极接地电位时，所述环形N+注入区、所述第一环形DN-Well区、所述NBL区、所述第二DN-Well区、所述N-Well区和所述P+注入区构成反偏二极管结构。

5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的光电驱动雪崩二极管忆阻器件的制作方法，包括以下步骤：

步骤一：第一次光刻，在衬底P-Sub的表面制作NBL区；

步骤二：第二次光刻，在所述NBL区上由外而内依次形成第一环形DN-Well区、环形P-epi区和第二DN-Well区；

步骤三：第三次光刻，在所述环形N+注入区外侧边缘与所述第一环形DN-Well区外侧边缘之间形成第一环形浅槽隔离区；在所述第一环形DN-Well区与所述环形P-epi区的交界处形成第二环形浅槽隔离区；

步骤四：第四次光刻，在所述环形P-epi区内形成环形P-Well区；

步骤五：第五次光刻，在所述第二DN-Well区中形成N-Well区；

步骤六：第六次光刻，在所述N-Well区中形成多晶硅环栅；

步骤七：第七次光刻，在所述第一环形DN-Well区中形成环形N+注入区；

步骤八：第八次光刻，在所述N-Well区中形成P+注入区；

步骤九：将所述P+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阳极；将所述环形N+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阴极。