[发明专利]一种半导体器件金锡焊接后的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，包括：

一、将金锡焊接后的半导体器件浸泡在清洗液中，所述清洗液包括水基清洗液、半水基清洗液和碳氢型清洗液中的至少一种；

所述水基清洗液包括偏硅酸钠、氢氧化钠、碳酸钠、环氧乙烷环氧丙烷共聚物、羧甲基纤维素、含氟表面活性剂、络合剂、有机硅类消泡剂和去离子水；

所述半水基清洗液包括三丙二醇丁醚、二甘醇丁醚、甲氧基甲基丁醇、四氢糠醇、苯甲醇、N-甲基焦利酮、N-乙基焦利酮和碱，所述碱是胺、酰亚胺或无机碱盐、硅酸盐或磷酸盐中的一种或多种；

二、将半导体器件浸泡在装有纯水的水槽内，除去半导体器件上的清洗液；

三、采用热风来风干半导体器件，除去半导体器件上的纯水。

2.如权利要求1所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(一)中，1升水基清洗液包括30～80g偏硅酸钠、10～30g氢氧化钠、20～50g碳酸钠、30～80g环氧乙烷环氧丙烷共聚物、3～10g羧甲基纤维素、0～2g含氟表面活性剂、0～5g络合剂、0～5g有机硅类消泡剂和余量去离子水。

3.如权利要求2所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(一)中，所述含氟表面活性剂为全氟辛酸钠、全氟辛酸钾和全氟辛酸中的一种或几种；

所述络合剂为柠檬酸钠、EDTA.二钠和EDTA.四钠中的一种或几种。

4.如权利要求1～3任一项所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(一)中，所述清洗液还包括助剂，所述助剂包括酮类物质、醇类物质、酯类物质中的至少一种，其中，所述酮类物质包括丙酮、甲苯异丁基甲酮中的至少一种；所述醇类物质包括乙醇、丙醇、丁醇中的至少一种；所述酯类物质包括醋酸乙酯、醋酸丁酯中的至少一种。

5.如权利要求1所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(一)中，所述碳氢清洗剂还包括铜和磷。

6.如权利要求1所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(一)中，所述清洗液的温度为50±10℃，浸泡时间为1～5min。

7.如权利要求1所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(二)中，所述水槽的底部设有进水口和出水口，所述进水口和出水口通过管道进行连接，所述管道上设有循环泵和过滤网，所述循环泵将水槽内的纯水从出水口抽出，抽出来的纯水又通过管道从进水口进入水槽，使水槽内的纯水形成循环。

8.如权利要求7所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，半导体器件浸泡在水槽内进行至少两次水循环清洗，每次循环清洗的时间为1～3min；

水槽内纯水的出水流速为0.5～6m/s，进水流速为0.5～5m/s；

所述纯水的导电率≦2μs/cm，温度为50±10℃。

9.如权利要求1所述的半导体器件金锡焊接后的清洗方法，其特征在于，步骤(三)中，采用高速热风机来风干半导体器件，其中，热风温度为30～120℃，吹风时间为1～7min。