[发明专利]一种刻蚀方法及系统

说明书

本申请实施例提供了一种刻蚀方法及系统，提供氧化钇膜层后，可以进行多次反应去除工艺，以刻蚀氧化钇膜层，反应去除工艺可以包括，利用氯化氢气体与氧化钇膜层表面反应产生反应物，利用乙醇清洗生成的反应物，这种反应去除工艺能对氧化钇膜层进行去除，且对其他膜层具有较高的刻蚀选择比，不会对其他膜层造成损伤，具有刻蚀自限制性，从而能够顺利实现对氧化钇膜层的刻蚀，对于氧化钇在半导体器件的制造工艺中的广泛使用创造了条件。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种刻蚀方法及系统。

背景技术

氧化钇是近年来发展起来的被广泛使用的一种新型金属氧化物，由于氧化钇涂层具有更好的抗等离子体冲蚀性能和更长的使用寿命而得到广泛的应用，例如取代氧化铝陶瓷涂层材料，使刻蚀机反应腔涂层的防护性能得到成倍的提高，同时，氧化钇的高介电常数的性能，使其在其他方面也存在应用，例如还可以作为栅介质层，使器件得到较好的栅电容。

实际操作中，无论是作为保护涂层还是栅介质层，对氧化钇的刻蚀都是必要的，然而由于氧化钇优异的抗等离子刻蚀性能，使氧化钇的刻蚀成为了半导体器件制造过程中的工艺难点。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种刻蚀方法及系统，能够自限制的进行氧化钇的刻蚀，利于半导体器件的制造。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种刻蚀方法，包括：

提供氧化钇膜层；

进行多次反应去除工艺，以刻蚀所述氧化钇膜层；所述反应去除工艺包括：利用氯化氢气体与所述氧化钇膜层表面发生反应产生反应物；利用乙醇清洗所述反应物。

可选的，所述反应去除工艺中，在利用乙醇清洗所述反应物之后，还包括：利用异丙醇对所述氧化钇膜层进行干燥处理。

可选的，所述利用氯化氢气体与所述氧化钇膜层表面发生反应产生反应物的方式包括：原位等离子体反应、远程等离子体反应或高温热过程。

可选的，所述多次反应去除工艺在无水环境中进行。

可选的，所述氧化钇膜层形成于待保护工件表面，所述进行多次反应去除工艺之前，所述待保护工件位于反应腔室内超过预设时长。

可选的，所述氧化钇膜层形成于衬底上，所述氧化钇膜层位于沟道区的表面上形成有栅极层，则所述进行多次反应去除工艺，包括：

以所述栅极层为掩蔽，对未被所述栅极层覆盖的氧化钇膜层进行多次反应去除工艺。

可选的，所述氧化钇膜层形成于衬底上，所述氧化钇膜层上形成有假栅，则所述进行多次反应去除工艺之前，还包括：去除所述假栅。

可选的，所述氧化钇膜层形成于碳膜上，所述氧化钇膜层位于沟道区的表面上形成有栅极层，则所述进行多次反应去除工艺，包括：

以所述栅极层为掩蔽，对未被所述栅极层覆盖的氧化钇膜层进行多次反应去除工艺。

本申请实施例还提供了一种刻蚀系统，包括：

移动装置，用于提供氧化钇膜层；

刻蚀装置，用于进行多次反应去除工艺，以刻蚀所述氧化钇膜层；所述反应去除工艺包括：利用氯化氢气体与所述氧化钇膜层表面发生反应产生反应物；利用乙醇清洗所述反应物。

可选的，所述反应去除工艺中，在利用乙醇清洗所述反应物之后，还包括：利用异丙醇对所述氧化钇膜层进行干燥处理。

可选的，所述利用氯化氢气体与所述氧化钇膜层表面发生反应产生反应物的方式包括：原位等离子体反应、远程等离子体反应或高温热过程。