[发明专利]半导体处理腔体及其清洁方法

说明书

本发明提供一种半导体处理腔体，包含腔室、气体供应源、远程电浆源、复数个孔洞以及侧面通道。其中，腔室由侧壁、顶部和底部相连接定义而成；气体供应源，用于提供气体；远程电浆源与气体供应源相连接，以将气体转化为电浆态；复数个孔洞位于侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；侧面通道连接远程电浆源与该些孔洞，以将电浆态的气体扩散至该等孔洞。

技术领域

本发明是有关于一种半导体处理腔体，以及半导体处理腔体的清洁方法。

背景技术

电浆化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)是用于如芯片上沉积从气态到固态的薄膜的电浆态沉积的一种类型。在半导体产业中，于制程结束后，PECVD常见的清洁方式为，气体通过远程电浆发生器后，流经顶部的喷淋板均匀扩散，以充分清洁腔体、侧壁等位置。但是由于喷淋板的孔径太小，使得腔体清洁效率低。

此外，过去曾经使用一种用于在PECVD腔室中沉积膜同时从基板支撑件的下方流动吹扫气体的设备和方法，该设备引入气体至腔体底部，而后气体从侧壁被抽走。然而此设计会造成多种问题，如侧壁的抽气效率不佳，腔体底部的角落容易成为死角，而产生粒子堆积的情况；底部引入气体时的流量如果过大会造成晶圆在基板支撑件上漂移，需要小心控制气体流量，也因此可能造成清洁效率不彰；腔体底部残留的沉积副产物和薄膜清除不易。

发明内容

本发明提供一种半导体处理腔体，以及半导体处理腔体的清洁方法，以解决上述半导体处理腔体底部的残留沉积副产物和薄膜清除不易，以及清洁效率不佳等问题。

根据本发明揭露的一实施方式，本发明的一种半导体处理腔体，包含腔室、气体供应源、远程电浆源(remote plasma source，RPS)、复数个孔洞以及侧面通道。其中，腔室由侧壁、顶部和底部相连接定义而成；气体供应源，用于提供气体；远程电浆源与气体供应源相连接，以将气体转化为电浆态；复数个孔洞位于侧壁且呈现环状排列以围绕该腔室；侧面通道连接远程电浆源与该些孔洞，以将电浆态的气体传送至该等孔洞。

在一实施例中，该等孔洞位于同一水平高度，且低于一工艺高度。

在一实施例中，该等孔洞位于一托盘的下方且靠近为于该底部的一抽气通道。

在一实施例中，该侧面通道和该等孔洞之间连接有一环形信道，该环形信道于该侧壁中延伸。

根据本发明揭露的一实施方式，一种使用于如上述半导体处理腔体的清洁方法，包含提供电浆态气体至该处理腔体的侧壁的该等孔洞，以将电浆态气体经由该等孔洞通入腔室。

在一实施例中，半导体处理腔体的清洁方法，还包含提供分流电浆气体至所述处理腔体的喷淋板，以将电浆气体经由喷淋板通入腔室。

在一实施例中，半导体处理腔体的清洁方法，其中所述将电浆气体经由喷淋板通入腔室，是于所述将电浆态气体经由该等孔洞通入腔室之前或之后执行。

对于相关领域一般技术者而言这些与其他的观点与实施例在参考后续详细描述与伴随图式之后将变得容易明白。

附图说明

图式所示之结构大小比例并不限制本发明的实际实施。

图1为一种根据本揭露一实施例之半导体处理腔体之示意图。

图2(A)为根据本揭露一实施例之半导体处理腔体的部分剖面图。

图2(B)为根据本揭露一实施例之半导体处理腔体的部分截面图。

图3(A)为根据本揭露一实施例之半导体处理腔体的腔室和气体流动的示意图。

图3(B)为根据本揭露一实施例之半导体处理腔体的腔室和气体流动的示意图。