[发明专利]基板处理设备在审

专利信息
申请号: 202010587316.0 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN112309900A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 郑元基;李主日;张夏硕 申请(专利权)人: ASMIP私人控股有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01J37/32;C23C16/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种基板处理设备,包括:

基板支撑单元,其配置为支撑基板;

处理单元,其设置在基板支撑单元上方,其中,反应空间限定在基板支撑单元与处理单元之间;

排气单元,其提供连接到反应空间的排气空间;以及

导电延伸部,其围绕排气空间的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部配置成防止在排气空间中产生寄生等离子体。

3.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部接地。

4.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部具有与基板的形状相对应的形状的圆周。

5.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述排气单元包括设置在反应空间和排气空间之间的阻挡壁,并且

所述阻挡壁的第一表面限定反应空间,并且所述阻挡壁的第二表面限定排气空间。

6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部沿着阻挡壁的第二表面延伸。

7.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部与阻挡壁接触。

8.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:

支撑部,其支撑所述处理单元和排气单元,

其中,所述排气单元设置在处理单元和支撑部之间。

9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中,所述处理单元用作限定反应空间的上表面的第一盖,并且

所述排气单元用作限定反应空间的侧表面的第二盖。

10.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中,所述排气单元包括:

阻挡壁,其设置在反应空间和排气空间之间;

外壁,其设置成平行于阻挡壁并与支撑部接触;以及

连接壁,其连接阻挡壁和外壁并提供与处理单元的接触表面,并且

所述导电延伸部沿着阻挡壁、连接壁、外壁和支撑部延伸。

11.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部电连接到支撑部,以允许导电延伸部和支撑部具有相同的电势。

12.根据权利要求10所述的基板处理设备,还包括:

导电环,其与所述导电延伸部接触。

13.根据权利要求11所述的基板处理设备,其中,所述支撑部包括凹槽,并且

所述导电环容纳在凹槽中。

14.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:

导电环,其电连接到所述导电延伸部。

15.根据权利要求14所述的基板处理设备,其中,所述导电环包括弹性体。

16.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:

排气路径,其连接到所述排气空间,

其中,所述导电延伸部包括在排气空间和排气路径之间提供连接的开口。

17.根据权利要求16所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部包括第一部分和第二部分,其中所述开口在它们之间,并且

所述第一部分和第二部分彼此分离。

18.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部以开环的形式延伸,其中导电延伸部的至少部分彼此分离。

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