[发明专利]基板处理设备在审
申请号: | 202010587316.0 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN112309900A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 郑元基;李主日;张夏硕 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;C23C16/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
基板支撑单元,其配置为支撑基板;
处理单元,其设置在基板支撑单元上方,其中,反应空间限定在基板支撑单元与处理单元之间;
排气单元,其提供连接到反应空间的排气空间;以及
导电延伸部,其围绕排气空间的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部配置成防止在排气空间中产生寄生等离子体。
3.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部接地。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部具有与基板的形状相对应的形状的圆周。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述排气单元包括设置在反应空间和排气空间之间的阻挡壁,并且
所述阻挡壁的第一表面限定反应空间,并且所述阻挡壁的第二表面限定排气空间。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部沿着阻挡壁的第二表面延伸。
7.根据权利要求5所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部与阻挡壁接触。
8.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:
支撑部,其支撑所述处理单元和排气单元,
其中,所述排气单元设置在处理单元和支撑部之间。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中,所述处理单元用作限定反应空间的上表面的第一盖,并且
所述排气单元用作限定反应空间的侧表面的第二盖。
10.根据权利要求8所述的基板处理设备,其中,所述排气单元包括:
阻挡壁,其设置在反应空间和排气空间之间;
外壁,其设置成平行于阻挡壁并与支撑部接触;以及
连接壁,其连接阻挡壁和外壁并提供与处理单元的接触表面,并且
所述导电延伸部沿着阻挡壁、连接壁、外壁和支撑部延伸。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部电连接到支撑部,以允许导电延伸部和支撑部具有相同的电势。
12.根据权利要求10所述的基板处理设备,还包括:
导电环,其与所述导电延伸部接触。
13.根据权利要求11所述的基板处理设备,其中,所述支撑部包括凹槽,并且
所述导电环容纳在凹槽中。
14.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:
导电环,其电连接到所述导电延伸部。
15.根据权利要求14所述的基板处理设备,其中,所述导电环包括弹性体。
16.根据权利要求1所述的基板处理设备,还包括:
排气路径,其连接到所述排气空间,
其中,所述导电延伸部包括在排气空间和排气路径之间提供连接的开口。
17.根据权利要求16所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部包括第一部分和第二部分,其中所述开口在它们之间,并且
所述第一部分和第二部分彼此分离。
18.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述导电延伸部以开环的形式延伸,其中导电延伸部的至少部分彼此分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造