[发明专利]一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法

权利要求书

1.一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

101)转接板制作步骤：通过光刻、干法或者湿法刻蚀工艺在转接板上表面制作微流道凹槽和TSV孔；微流道凹槽设置在TSV孔两侧；转接板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；转接板上表面制作RDL；

减薄转接板下表面使TSV孔的底部露出，通过光刻和电镀工艺在转接板下表面制作焊接焊盘；

102)底板制作步骤：通过光刻、干法或者湿法刻蚀工艺在底板上表面制作微流道凹槽和TSV孔；微流道凹槽设置在TSV孔两侧；底板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；底板上表面制作RDL；

103)键合步骤：通过焊接的方式把步骤101)的转接板和步骤102)底板键合形成带有多层微流道凹槽的散热底座；其中，转接板的TSV孔和底板的TSV孔贯通形成孔洞；

104)芯片安置步骤：孔洞中填充导热介质；或者对孔洞的侧壁或整个进行电镀金属形成种子层，然后对孔洞进行导热介质填充；切割散热底座成单个模组，在孔洞上面焊接功率芯片，且连通微流道凹槽，形成具有散热结构的三维射频模组。

2.根据权利要求1所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：RDL制作过程包括RDL走线和焊盘，通过沉积氧化硅或者氮化硅制作绝缘层，并通过光刻、干法刻蚀使芯片PAD露出；通过光刻，电镀工艺进行RDL走线布置，其中RDL走线采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种混合，其结构采用一层或多层结构，厚度范围为10nm到1000um；通过光刻，电镀工艺制作键合金属形成焊盘，焊盘开窗直径在10um到10000um之间。

3.根据权利要求2所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：在RDL表面再覆盖绝缘层，并通过开窗工艺露出焊盘。

4.根据权利要求2所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：TSV孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um之间；绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；种子层本身结构为一层或多层结构，厚度范围都在1nm到100um，材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。

5.根据权利要求1所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：三维射频模组内部的液体流通方向不定。

6.根据权利要求1所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：转接板、底板采用4、6、8、12寸中的一种，厚度范围为200um到2000um，材质采用玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯。

7.根据权利要求1所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：电镀金属本身结构采用一层或多层，材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。

8.根据权利要求1所述的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：导热介质采用金属或非金属材质；其中，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，非金属采用石墨烯。