[发明专利]基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）提供衬底；

2）经常规清洗后，将衬底放置在沉积室内在其表面制备氮化硼缓冲层；

3）在氮化硼缓冲层表面继续制备立方氮化硼厚膜；

4）随后在所制备的立方氮化硼厚膜表面制备一对电极；

所述衬底的材料为单晶或多晶金刚石、硅、蓝宝石和石英玻璃；

所述氮化硼缓冲层是一种非晶和六方氮化硼薄膜，厚度为15-25 nm；

所述立方氮化硼厚膜是高纯立方相含量的氮化硼厚膜，厚度为50-1000 nm；

所述立方氮化硼厚膜的带隙宽度为5.5 eV；

所述步骤2)和3)中都是采用超高真空磁控溅射手段制备所得；

所述深紫外光电探测器在不同偏压下检测其光电响应度，可以得到峰值响应波长为205 nm，截止波长为225 nm，对应立方氮化硼的响应峰值。