[发明专利]一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法有效
申请号: | 202010588587.8 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111653490B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 冯光建 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;B81C1/00 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 散热器 流量 三维 模组 制作方法 | ||
1.一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法,其特征在于:具体包括如下步骤:
101)标尺制作步骤:在待键合载板和底座键合载板的表面设置标尺,标尺用于待键合载板和底座键合载板上芯片的对准检验;标尺采用线条状或者直角状;
其中,标尺制作过程如下:在待键合载板和底座键合载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成绝缘层,通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层,通过光刻,电镀工艺在种子层上制作对准标记金属形成标尺;或者通过光刻、干法刻蚀工艺在待键合载板和底座键合载板上表面刻蚀出相应凹槽形成标尺,或者在凹槽基础上通过大马士革工艺或者PVD工艺在凹槽内填充金属形成标尺,或者在填充金属处再用氧化硅或氮化硅覆盖形成标尺;
待键合载板和底座键合载板都采用4、6、8、12寸中的一种尺寸,厚度范围为200um到2000um之间,材质采用硅、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的一种;
102)TSV孔制作步骤:待键合载板和底座键合载板上都通过光刻,刻蚀工艺制作TSV孔,TSV孔的直径范围在1um到1000um,深度在10um到1000um之间;减薄待键合载板和底座键合载板的底部,使TSV孔底部露出;或者待键合载板或底座键合载板其中之一的TSV孔改成长条形凹槽;
103)键合步骤:用共晶键合工艺把待键合载板和底座键合载板键合在一起,使步骤102)的TSV孔与TSV孔,或者TSV孔与凹槽相互连接形成微流道;其中,形成微流道前进行对准过程,在待键合载板周围设置推动装置,由推动装置微调待键合载板的位置,使不同面积的微流道注入散热液体后能有一样的控温效果,达到该效果后去除推动装置。
2.根据权利要求1所述的一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法,其特征在于:步骤103)中形成微流道之后通过红外或者X-ray检测对准表面的差异程度,以判断是否符合设定需求,若不符合继续通过推动装置进行调整,直到符合设定需求。
3.根据权利要求1所述的一种控制散热器流量的三维异构模组制作方法,其特征在于:推动装置采用可实现手动0.1微米精度的微调装置,实现对功能模组进行两个轴向的微小移动和旋转移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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