[发明专利]一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法

权利要求书

1.一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

101)初步刻蚀步骤：在晶圆上表面涂光刻胶，通过曝光显影技术在光刻胶上分布形成至少两个以上的初步腔体，并加深刻蚀深度，刻蚀完成之后去除光刻胶形成相应的小空腔；

102)初步定形步骤：在步骤101)处理后的晶圆上表面放置干膜胶，通过曝光显影将所有小空腔及其侧壁全部暴露出来形成初步大腔体，并加深刻蚀深度，刻蚀完成之后去除干膜胶，形成大空腔；

103)刻蚀终止层步骤：对步骤103)处理后的晶圆进行氧化，氧化生成厚度范围为2微米到10微米的氧化层，并以氧化硅作为后续刻蚀的被刻蚀部分，晶圆的基体硅作为后续刻蚀的刻蚀终止层；将晶圆的氧化层刻蚀掉，形成最终的大空腔；其中，氧化层的生长厚度至少要将大空腔内的小空腔侧壁全部氧化。

2.根据权利要求书1所述的一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，其特征在于：步骤101)中的光刻胶的厚度范围为8微米到15微米，腔体的开口大小为20微米到50微米之间，刻蚀深度到20微米到80微米；光刻胶采用正胶、负胶、干膜贴或液态光刻胶；刻蚀采用湿法刻蚀或干法刻蚀。

3.根据权利要求书1所述的一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，其特征在于：步骤102)中的干膜胶厚度范围为8微米到15微米，初步大腔体的刻蚀深度达到100微米到200微米；刻蚀采用湿法刻蚀或干法刻蚀。

4.一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

101)初步刻蚀步骤：在晶圆上表面沉积一层厚度范围为2到10微米的硬质掩模层，通过曝光显影技术在硬质掩模层上形成初步大腔体，并加深刻蚀深度，形成相应的大空腔；

102)初步定形步骤：在步骤101)处理后的晶圆上表面涂上光刻胶，通过曝光显影技术在光刻胶对应的大空腔区域内分布形成至少两个以上的初步腔体，并加深刻蚀深度，刻蚀完成之后去除光刻胶形成相应的大空腔内分布小空腔；在硬质掩模层的保护下，加深大空腔的整体刻蚀深度；

103)刻蚀终止层步骤：对步骤103)处理后的晶圆进行氧化，氧化生成厚度范围为2微米到10微米的氧化层，并以氧化硅作为后续刻蚀的被刻蚀部分，晶圆的基体硅作为后续刻蚀的刻蚀终止层；将晶圆的氧化层刻蚀掉，形成最终的大空腔；其中，氧化层的生长厚度至少要将大空腔内的小空腔侧壁全部氧化。

5.一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，其特征在于：具体测试处理流程如下：

101)初步刻蚀步骤：在晶圆上表面涂光刻胶，通过曝光显影技术在光刻胶上分布形成至少两个以上的初步腔体，并加深刻蚀深度，形成小空腔，且小空腔深度为8微米到15微米之间；

102)初步定形步骤：在步骤101)处理后的晶圆上进一步加深刻蚀深度，刻蚀完成之后去除光刻胶，形成小空腔整体组成的大空腔；其中大空腔和小空腔的深度相同；

103)刻蚀终止层步骤：对步骤103)处理后的晶圆进行氧化，氧化生成厚度范围为2微米到10微米的氧化层，并以氧化硅作为后续刻蚀的被刻蚀部分，晶圆的基体硅作为后续刻蚀的刻蚀终止层；将晶圆的氧化层刻蚀掉，形成最终的大空腔；其中，氧化层的生长厚度至少要将大空腔内的小空腔侧壁全部氧化。

6.根据权利要求书5所述的一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，其特征在于：氧化工艺为热氧化或湿法氧化。