[发明专利]一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法在审
| 申请号： | 202010590082.5 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111916357A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李全兵;顾炯炯;赵励强;缪富军;杨志 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 赵海波 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 效应 填充 tsv 工艺 方法 | ||
1.一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
步骤一、在晶圆表面打孔形成TSV孔，并把打孔后的晶圆放在支撑板上；
步骤二、制作硅载板；
在硅载板的上表面依次通过压膜、照UV光、显影及蚀刻的方法形成凸起的图案，然后在硅载板的部分位置打孔，形成上下导通的通道；
步骤三、毛细效应填充TSV孔；
把晶圆倒置，将制作完成的硅载板置于晶圆和金属液体槽之间，硅载板的下表面浸入金属液体槽中，硅载板的上表面的凸起图案直接接触晶圆，硅载板的通道位置对应晶圆TSV孔的位置，金属液体槽中的液体会因为毛细效应经由通道填充进TSV孔中；
步骤四、形成金属柱；
移除硅载板和金属液体槽，将晶圆整体翻转朝上，步骤三中填充进TSV孔内的金属液体经烘烤固化形成金属柱；
步骤五、移除支撑板。
2.根据权利要求1所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤一中支撑板的材质是玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤二中在硅载板下表面同时通过压膜、照UV光、显影及蚀刻的方法形成凸起或凹陷的图案。
4.根据权利要求1或3所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤二中硅载板表面形成的图案是长城形、锯齿形或椭圆形。
5.根据权利要求1或3所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤二中硅载板表面的图案是布满硅载板表面的或者是局部分布在硅载板表面的。
6.根据权利要求1所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤二中通道的开口方式是硅载板下表面单边开口或是双边开口。
7.根据权利要求1所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤二中通道下端开口的角度是小角度开口或是大角度开口。
8.根据权利要求1所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：金属液体对TSV孔和硅载板是不浸润的。
9.根据权利要求1所述的一种利用毛细效应填充TSV的工艺方法，其特征在于：步骤五移除支撑板后对晶圆表面进行打磨和抛光处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
