[发明专利]化学去胶液的配比生产流程

说明书

本发明涉及化学去胶液的技术领域，特别是涉及化学去胶液的配比生产流程，化学去胶液稳定性好，去胶效果好，对基材的腐蚀性小。包括以下步骤：S1、将主溶剂、助溶剂、表面活性剂以及去离子水提升至高处的过渡罐中，进行临时存放；S2、按照各原料比例将过渡罐中的各种原料经过计量后输送至计量罐中，进行存放；S3、将计量罐中的各溶剂加入到搅拌釜中进行搅拌；S4、搅拌过程中，对搅拌釜内部温度进行控制；S5、搅拌完毕后，将搅拌釜内部混合液排出，经过过滤器后打入至存放罐中，得到化学去胶液。

技术领域

本发明涉及化学去胶液的技术领域，特别是涉及化学去胶液的配比生产流程。

背景技术

在半导体器件生产过程中，光刻是必不可少的一个重要环节，光刻是感光复印图象和选择性化学腐蚀相结合的综合技术。光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影、腐蚀和去胶等步骤，光刻结果的好坏与工艺过程中每一个步骤有关。涂胶是将光致抗蚀剂(即光刻胶，本发明通称光刻胶)涂在硅片表面，然后曝光；对于负性光刻胶来说，其曝光前是可溶性的，见光后发生光化学反应形成不溶性的高分子物质；经显影、腐蚀之后，光刻胶完成了保护基片上某些部分不被腐蚀的任务，就要被清除掉，即去胶，如果这层光刻胶去除不干净将直接影响硅平面器件和集成电路的成品率及产品质量。

化学去胶液大多是多种物质混合而成的溶液，现有技术中大多将原料直接倒入至搅拌釜内部，然后进行混合，这种方式不适于连续性生产，并且制得的化学去胶液质量得不到保障。

发明内容

本发明提供一种化学去胶液的配比生产流程，利用本发明生产的化学去胶液稳定性好，去胶效果好，对基材的腐蚀性小。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，包括以下步骤：

S1、将主溶剂、助溶剂、表面活性剂以及去离子水提升至高处的过渡罐中，进行临时存放；

S2、按照各原料比例将过渡罐中的各种原料经过计量后输送至计量罐中，进行存放；

S3、将计量罐中的各溶剂加入到搅拌釜中进行搅拌；

S4、搅拌过程中，对搅拌釜内部温度进行控制；

S5、搅拌完毕后，将搅拌釜内部混合液排出，经过过滤器后打入至存放罐中，得到化学去胶液。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，所述主溶剂、助溶剂、表面活性剂、光亮剂以及去离子水混合后形成化学去胶液，化学去胶液配方为：主溶剂50-70wt％、助溶剂20-30wt％、表面活性剂5-10wt％以及余量去离子水；其中主溶剂为任意比例的异丙醇、丙三醇以及吡咯烷酮，其中助溶剂为任意比例的乙二醇丁醚以及二甲醚，其中表面活性剂为壬基酚聚氧乙烯醚或者辛基酚聚氧乙烯醚，余量为去离子水。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，所述步骤S4中搅拌釜温度控制方式为水循环冷却，温度控制在25-40摄氏度范围内。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，所述步骤S3中搅拌时间为20-30min。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，所述步骤S5中过滤器用于去除混合液中颗粒物，过滤器精度为10-15微米。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，所述化学去胶液还包括5-10wt％的光亮剂，光亮剂为苯亚甲基丙酮和苯甲酸钠的混合物，苯亚甲基丙酮和苯甲酸钠质量比为7-8：2-3。

本发明的化学去胶液的配比生产流程，所述各计量罐内部液体全部流至搅拌釜内部后，再对各计量罐内部进行下料。