[发明专利]一种介电陶瓷表面金属化的方法及采用该方法制备的介电陶瓷元件

权利要求书

1.一种介电陶瓷表面金属化的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

1)选取介电陶瓷基体，然后在该介电陶瓷基体表面施加金属层A，获得含金属层的介电陶瓷基体I；金属层A的厚度为0.01-1μm；

2)在步骤1)获得的含金属层的介电陶瓷基体I的表面施加金属层B，获得含金属层的介电陶瓷基体II；金属层B的厚度为0.01-5μm；

3)在步骤2)获得的含金属层的介电陶瓷基体II的表面施加银层C，获得含金属层的介电陶瓷基体III；银层C的厚度为0.1-20μm；

4)在步骤3)获得的含金属层的介电陶瓷基体III的表面施加铜层D，获得含金属层的介电陶瓷基体IV；铜层D的厚度为≥1μm；

5)在步骤4)获得的含金属层的介电陶瓷基体IV的表面施加金属层E，获得含金属层的介电陶瓷基体V，即目标金属化介电陶瓷；金属层E的厚度为0.01-5μm；

其中，所述金属层A选自镍层、镍合金层以及钛层中的一种；所述金属层B选自铜层或金层；所述金属层E选自金层、镍金层、镍钯金层、锡层以及银层中的一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属层A的厚度为0.015-0.95μm。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述金属层A的厚度为0.02-0.9μm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述金属层A的厚度为0.025-0.85μm。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述金属层A的厚度为0.03-0.8μm。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述金属层A的厚度为0.04μm、0.045μm、0.05μm、0.055μm、0.06μm、0.065μm、0.07μm或0.075μm中的一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.015-4.5μm。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.02-4μm。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.025-3.5μm。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.03-3μm。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.035-2.5μm。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.04-2μm。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.045-1.5μm。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：所述金属层B的厚度为0.05μm、0.06μm、0.07μm、0.08μm、0.09μm、0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm或1.4μm中的一种。

15.根据权利要求1-6、8-14中任一项所述的方法，其特征在于：所述银层C的厚度为0.15-18μm。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述银层C的厚度为0.2-16μm。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述银层C的厚度为0.25-14μm。