[发明专利]一种用于SiC平面封装结构的散热件及其制备方法

权利要求书

1.一种用于SiC平面封装结构的散热件，其特征在于，包括铜针翅、绝缘介质层和金属层，所述铜针翅包括铜板和排布在所述铜板一面上的针翅，所述绝缘介质层和金属层依次设置在所述铜板的另一面上，所述铜针翅、绝缘介质层和金属层一体成型。

2.如权利要求1所述的一种用于SiC平面封装结构的散热件，其特征在于，所述绝缘介质层上方为金属层，所述金属层包括分开预设距离设置的第一金属层和第二金属层。

3.一种用于SiC平面封装结构的散热件，其特征在于，包括权利要求1至2任一所述散热件，所述SiC平面封装结构还包括功率器件芯片、第一功率端子引线框架和第二功率端子引线框架，所述功率器件芯片设置在所述第一功率端子引线框架和所述第一金属层之间，所述第二功率端子引线框架设置在所述第二金属层上。

4.如权利要求3所述的SiC平面封装结构的散热件，其特征在于，所述功率器件芯片与所述第一功率端子引线框架之间，所述功率器件芯片与所述第一金属层之间，所述第二功率端子引线框架与所述第二金属层之间，均通过连接材料相接，所述连接材料选自：焊锡片、锡膏、纳米银材料、纳米铜材料中的一种。

5.如权利要求1所述的SiC平面封装结构的散热件，其特征在于，所述铜板厚度范围为：2mm～5mm，所述针翅高度范围为：3mm～8mm，所述相邻两个针翅之间间距范围为：1mm～3mm。

6.如权利要求1所述的SiC平面封装结构的散热件，其特征在于，所述铜板、所述绝缘介质层、所述金属层、所述功率器件芯片、所述第一功率端子引线框架和所述第二功率端子引线框架由环氧树脂密封。

7.一种制备如权利要求1-6任一所述的SiC平面封装结构的散热件的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

S1.一体化基板；

S2.搭载功率器件芯片，及安装第一功率端子引线框架、第二功率端子引线框架，烧结；

S3.通过密封材料密封器件；

所述S1包括以下步骤：

S1.1.在铜板上一面制备铜针翅结构；

S1.2.在铜板另一面通过覆铜工艺或活性金属钎焊工艺制备绝缘介质层和金属层。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备铜针翅的工艺为厚铜注模工艺。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述密封材料选自：环氧树脂、硅橡胶、聚酰亚胺中的一种。