[发明专利]一种立式气相反应炉

说明书

本申请提供一种立式气相反应炉，其特征在于，包括外壳、第一供气结构和第二供气结构，所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间，所述反应空间内存在亏气区，所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通，所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。本申请实施例通过在具备第一供气结构的立式气相反应炉的外壳上设置第二供气结构组，不需要整体更换立式气相反应炉，成本较低，可以由第二供气结构进入的反应气体提升亏气区内的气体浓度，实现提高亏气区内材料反应程度的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种立式气相反应炉。

背景技术

立式气相反应炉作半导体设备技术领域中的一种气相反应设备，可以对层叠的多层材料进行批量化处理，为便于制造，立式气相反应炉往往采用在炉顶上方开设单个供气口的结构，利用重力作用使反应气体从上至下依次经过各层材料并发生反应。

但这种供气方式会在立式气相反应炉的反应空间内高度较低的区域形成一个反应气体浓度较低的亏气区，亏气区内的材料往往得不到充分反应。

发明内容

本申请实施例提供一种立式气相反应炉，以解决上述问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

本申请实施例提供一种立式气相反应炉，包括外壳、第一供气结构和第二供气结构，所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间，所述反应空间内存在亏气区，所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通，所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。

优选地，所述第一供气结构包括多个第一供气开口，所述第一供气开口设置于所述反应空间的顶部；所述第二供气结构包括多个第二供气开口，所述第二供气开口沿所述外壳的周向排布。

优选地，至少部分所述第二供气开口与所述亏气区对应设置，以覆盖所述亏气区。

优选地，还包括配合供气组件，所述配合供气组件包括供气围壁和供气喷嘴，所述供气围壁套设于所述外壳的外部且所述供气围壁的上端和下端与所述外壳密闭连接，所述供气围壁与所述外壳的侧壁共同围成供气环腔，所述第二供气开口位于所述供气环腔内，所述第二供气开口与所述供气环腔相互连通，所述供气喷嘴由外界穿入所述供气环腔内。

优选地，所述供气喷嘴设置为多个，多个所述供气喷嘴自所述供气围壁的下端穿入所述供气环腔。

优选地，多个所述供气喷嘴沿所述外壳的周向均匀排布，所述供气喷嘴的开口方向均为水平方向上的顺时针方向或者逆时针方向。

优选地，所述第二供气结构内的所述第二供气开口的内径自上而下依次减小。

优选地，还包括反应物支架和隔热支架，所述反应物支架及所述隔热支架与所述外壳在周向上均具备间隙，所述反应物支架与所述隔热支架自上至下依次设置，所述反应物支架通过所述隔热支架与所述外壳的底部隔开。

优选地，还包括出气开口，所述隔热支架包括多层第一隔热板和多层第二隔热板，所述第一隔热板均设置于所述第二隔热板的上方，所述第二隔热板的周向尺寸小于所述第一隔热板的周向尺寸；所述出气开口开设于所述外壳且设置于所述第二供气开口的下方，位于最下层的所述第一隔热板在竖直方向上与所述出气开口之间的高度差最小为10mm。

优选地，所述外壳由石英制成。

本申请所提供的立式气相反应炉包括外壳、第一供气结构和第二供气结构，所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间，所述反应空间内存在亏气区，所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通，所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。本申请实施例通过在具备第一供气结构的立式气相反应炉的外壳上开设第二供气结构，不需要整体更换立式气相反应炉，成本较低，可以由第二供气结构进入的反应气体提升亏气区内的气体浓度，实现提高亏气区内材料反应程度的技术效果。

附图说明